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과제명 | 초고주파 Silicon-on-Insulator MOSFET을 위한 새로운 RF 및 Distortion Compact 모델링 |
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주관연구기관 |
한국외국어대학교 Hankuk University of Foreign Studies |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-11 |
과제시작년도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201900026133 |
과제고유번호 | 1345268887 |
사업명 | 개인기초연구(교육부) |
DB 구축일자 | 2020-08-29 |
키워드 | SOI CMOS 소자.SOI MOSFET 모델.SOI CMOS 모델링.RF 모델링.Compact 모델링.Distortion 모델.SPICE 모델.SOI MOSFET.SOI CMOS. |
□ 연구개요
RF silicon-on-insulator (SOI) MOSFET을 사용한 RF System-on-Chip(SoC) 설계를 위해서는 높은 동작주파수와 넓은 바이어스 영역에서 정확히 RF 및 distortion 특성 ...