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가시광선에서 근적외선 파장까지 광대역 스펙트럼을 갖는 Si 기반 III-Nitride 양자점 발광소자 제작

Fabrication of Si-based III-Nitride quantum-dot light-emitting diodes with the operating wavelength from visible to near infra-red

보고서 정보
주관연구기관 전북대학교
Chonbuk National University
연구책임자 김진수
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2018-11
과제시작연도 2017
주관부처 교육부
Ministry of Education
등록번호 TRKO201900026476
과제고유번호 1345270526
사업명 개인기초연구(교육부)
DB 구축일자 2020-09-05
키워드 발광소자.Si 기판.III-Nitride 물질계.양자점.신개념 Dot-in-Dot 복합 양자점.Volmer-Webber 성장법.자발형성법.수정자발형성법.실험계획법.

초록

연구개요
• 가시광선과 근적외선 파장(Near Infra-red Wavelength, NIRW) 영역은 조명, 디스플레이, 태양전지, 의료, 통신 등 다양한 산업에서 핵심 파장대역으로 응용되고 있다. 그러나 현재 수준에서 단일 물질계를 이용하여 단일 소자로 구현하는 기술이 전무한 실정이다. 따라서 Si 기판에 단일 물질계를 이용하여 가시광선에서 NIRW 영역을 구현 할 수 있다면 저렴한 비용으로 다양한 산업분야에 적용할 수 있는 소자를 구현할 수 있을 것으로 예상된다.
• 본 연구에서는 “III-Nitride 물질계 나노

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 5
  • 3. 연구개발 결과의 중요성 ... 10
  • 4. 참고문헌 ... 10
  • 5. 연구성과 ... 11
  • 끝페이지 ... 14

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참고문헌 (25)

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