초록 ▼

□ 연구개요
1. 본 연구는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 소재를 반도체 채널층으로 사용하는 박막 트랜지스터 구현을 목표로 함
2. 박막 트랜지스터의 성능 개선을 위해 기존의 무기 게이트 절연막이 아닌 고체 전해질 게이트 절연막을 도입하여 저전압, 고이동도 특성을 이루고자 함
3. 이를 위해 과제 기간동안 유무기 페로브스카이트 전구체, 고체 전해질 합성 및 소자 제작/최적화, 공정 기술 개발등의 전주기적 연구를 진행하였음

□ 연구 목표대비 연구결과
본 과제의 연구목표는 소재의 물성 및 소자의 성능

□ 연구개요
1. 본 연구는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 소재를 반도체 채널층으로 사용하는 박막 트랜지스터 구현을 목표로 함
2. 박막 트랜지스터의 성능 개선을 위해 기존의 무기 게이트 절연막이 아닌 고체 전해질 게이트 절연막을 도입하여 저전압, 고이동도 특성을 이루고자 함
3. 이를 위해 과제 기간동안 유무기 페로브스카이트 전구체, 고체 전해질 합성 및 소자 제작/최적화, 공정 기술 개발등의 전주기적 연구를 진행하였음

□ 연구 목표대비 연구결과
본 과제의 연구목표는 소재의 물성 및 소자의 성능에 주안점을 두고 설정되었음

1. 고체 전해질 (이온젤)의 기계적 물성: 인장테스트를 통해 측정
목표치: 20 kPa, 달성치: 1 MPa

2. 고체 전해질 (이온젤)의 이온 전도도: 임피던스 분석을 통해 측정
목표치: 0.5 mS/cm, 달성치: 1.4 mS/cm

3. 트랜지스터 구동전압: 소자 제작후 transfer curve 측정
목표치: 6 V, 달성치: 2 V

4. 트랜지스터 ON/OFF ratio: 소자 제작후 transfer curve 측정
목표치: 10³, 달성치 10³

5. 트랜지스터 휘도: 소자 제작후 luminance 측정
목표치 50 cd/m², 결과치: 빛방출 특성 관찰되지 않음

□ 연구개발결과의 중요성
1. 본 수행과제의 연구를 통해 페로브스카이트 채널층과 이온젤 전해질 게이트 절연막의 조합으로 구성된 최초의 전기화학적 트랜지스터를 구현함
2. 기존의 페로브스카이트 트랜지스터의 경우 이온의 polarization 효과로 인해 대부분 저온 (<100 K)에서 구동이 가능하였으나 전해질 게이팅 기술을 도입하여 상온 구동을 실현함
3. 또한 유무기 페로브스카이트의 전해질 특성을 규명하였으며 이를 이용하여 세계최초 페로브스카이트를 게이트 절연막으로 이용한 전기화학적 트랜지스터 소자기술을 구현하였음

(출처 : 연구결과 요약문 2p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 연구결과 요약문 ... 2
• 목차 ... 3
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
• 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 5
• (1) 1차년도 ... 5
• (2) 2차년도 ... 7
• (3) 3차년도 ... 9
• (4) 4차년도 ... 11
• 3. 연구개발결과의 중요성 ... 13
• 4. 참고문헌 ... 14
• 5. 연구성과 ... 15
• 끝페이지 ... 17