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보고서 상세정보

Negative capacitance를 이용한 차세대 저전력/고성능 로직반도체 소자 개발

Development of next-generation low-power/high-performance logic semiconductor device using negative capacitance

과제명 Negative capacitance를 이용한 차세대 저전력/고성능 로직반도체 소자 개발
주관연구기관 아주대학교
Ajou University
보고서유형 최종보고서
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 2019-06
과제시작년도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000002071
과제고유번호 1345293526
사업명 개인기초연구(교육부)(R&D)
DB 구축일자 2020-07-29
키워드 로직반도체소자.저전력.고성능.강유전체.네거티브 커패시턴스.문턱전압이하기울기.가파른 스위칭.모스펫.
연구과제
타임라인
과제명
Negative capacitance를 이용한 차세대 저전력/고성능 로직반도체 소자 개발
과제기간
2017 ~ 2019
총연구비 ...
초록

□ 연구개요
강유전체(ferroelectric) 물질을 게이트 스택(gate stack)에 도입하여 음의 커패시턴스(negative capacitance) 특성을 활용해, 기존 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET...

목차
Contents