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Negative capacitance를 이용한 차세대 저전력/고성능 로직반도체 소자 개발
Development of next-generation low-power/high-performance logic semiconductor device using negative capacitance 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 아주대학교
Ajou University
연구책임자 김상완
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2019-06
과제시작연도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000002071
과제고유번호 1345293526
사업명 개인기초연구(교육부)(R&D)
DB 구축일자 2020-07-29
키워드 로직반도체소자.저전력.고성능.강유전체.네거티브 커패시턴스.문턱전압이하기울기.가파른 스위칭.모스펫.

초록

□ 연구개요
강유전체(ferroelectric) 물질을 게이트 스택(gate stack)에 도입하여 음의 커패시턴스(negative capacitance) 특성을 활용해, 기존 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 근본적 한계인 60 mV/dec 이하의 문턱전압이하기울기의 역수(subthreshold swing: SS)를 가지는 차세대 저전력/고성능 반도체 소자–NCFET(negative capacitance FET)-를 개발
다양한 소자구조와 물질조성비 등에 대한 연구를 바탕으로 이력현상(hystere

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 3
  • 가. 연구의 배경 및 필요성 ... 3
  • 나. 국내외 연구 동향 및 연구의 시급성·중요성 ... 3
  • 다. 최종연구목표 ... 4
  • 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 4
  • 가. 1차년도 (2017.06-2018.05) ... 4
  • 나. 2차년도 (2018.06-2019.05) ... 6
  • 다. 연구의 확장 (2차년도 연차실적계획서) ... 7
  • 3. 연구개발결과의 중요성 ... 7
  • 4. 참고문헌 ... 8
  • 5. 연구성과 ... 11
  • 끝페이지 ... 15

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참고문헌 (25)

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