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NTIS 바로가기주관연구기관 | 아주대학교 Ajou University |
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연구책임자 | 김상완 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-06 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000002071 |
과제고유번호 | 1345293526 |
사업명 | 개인기초연구(교육부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | 로직반도체소자.저전력.고성능.강유전체.네거티브 커패시턴스.문턱전압이하기울기.가파른 스위칭.모스펫. |
□ 연구개요
강유전체(ferroelectric) 물질을 게이트 스택(gate stack)에 도입하여 음의 커패시턴스(negative capacitance) 특성을 활용해, 기존 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 근본적 한계인 60 mV/dec 이하의 문턱전압이하기울기의 역수(subthreshold swing: SS)를 가지는 차세대 저전력/고성능 반도체 소자–NCFET(negative capacitance FET)-를 개발
다양한 소자구조와 물질조성비 등에 대한 연구를 바탕으로 이력현상(hystere
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