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저비용 고효율 1.8 eV 밴드갭 CuBi2O4 반도체 박막 태양 전지 개발
The Development of CuBi2O4 Thin Film with a band-gap of 1.8 eV for high-efficient and low-costPhotovoltaic 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술원
Korea Advanced Institute of Science and Technology
연구책임자 오지훈
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2020-03
과제시작연도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
과제관리전문기관 한국연구재단
National Research Foundation of Korea
등록번호 TRKO202000004539
과제고유번호 1711086876
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2020-07-29
키워드 태양전지.이종접합.반도체-금속 접합.스핀코팅 합성.원자층증착.질소 도핑.정공 이동도.CuBi2O4.

초록

연구개요
본 연구에서는 1.8 eV의 밴드갭을 가지는 p형 반도체 물질인 CuBi2O4 박막을 합성하여 현재까지 보고된 바 없는 태양전지로의 응용을 위해 광학적 및 전기적 특성을 향상시키기 위한 물질의 최적화에 대한 것을 진행함. 첫째로 스핀코팅법에 의한 최적의 두께의 박막합성 및 질소 도핑을 통해 광학적, 전기적 특성을 향상 시키며 태양전지의 흡수체로써 중요한 흡광도 및 캐리어 수명등의 기본적인 물성에 대한 스터디를 진행함. 태양전지 구조를 제작하게 되며 Ohmic 컨택저항의 최소화,

목차 Contents

  • 표지 ... 1연구결과 요약문 ... 3목차 ... 41. 연구개발과제의 개요 ... 5 가. 연구개발의 필요성 ... 5 나. 최종 목표 ... 62. 연구수행내용 및 연구결과 ... 7 가. 연구 성과 목표 ... 7 나. 세부 목표별 달성도 ... 73. 연구개발결과의 중요성 ... 194. 참고문헌 ... 195. 연구성과 ... 20대표적 연구실적 ... 23끝페이지 ... 39

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참고문헌 (25)

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