최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울시립대학교 Korea Forest Research Institute |
---|---|
연구책임자 | 신창환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-07 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO202000007478 |
과제고유번호 | 1711043109 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2020-09-19 |
키워드 | 실리콘 소자.반도체 소자.저전력.위상학적 절연체.강유전체.스팁스위칭.씨모스 기술.Silicon Device.Semiconductor Device.Low Power.Topological Insulator.Ferroelectric Material.Steep Switching.CMOS Technology. |
□ 연구의 목적 및 내용
Negative capacitance라는 새로운 개념을 CMOS gate stack에 도입함으로써, thermionic emission mechanism을 가진 기존 silicon CMOS device의 물리적 한계를 극복하는 기초 연구를 수행하는 데에 최종 목표를 둔다. 위상학적 절연체와 강유전체를 사용하여 negative capacitance를 구현하고 이를 gate stack에 적용하여 60 mV/decade 이하의 subthreshold slope과 0.5 V 이하의 구동전압을 가지는 저전력 C
□ Purpose& contents
A study to overcome the physical limit of thermionic emission process in CMOS devices is to be performed using the novel concept of negative capacitance. The negative capacitance will be demonstrated using topological insulators and ferroelectric materials, and then a novel CM
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.