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NTIS 바로가기주관연구기관 | 강원대학교 Kangwon National University |
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연구책임자 | 이병주 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-06 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 교육부 Ministry of Education |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202300006783 |
과제고유번호 | 1345349744 |
사업명 | 이공학학술연구기반구축 |
DB 구축일자 | 2023-09-19 |
키워드 | 뉴로모픽 칩.멤리스터.플라즈마 도핑.도핑 레벨 제어.선형적 저항 특성.neuromorphic chip.memristor.plasma doping.doping level control.linear resistance characteristics. |
□ 연구개발 목표 및 내용
■ 최종 목표
본 연구의 최종목표는 뉴로모픽 칩으로의 응용을 위하여 플라즈마 공정을 통해 산소 공공의 밀도와 이종 원소의 도핑 레벨을 제어하고, 이온 제어형 3단자 소자를 구현하여 ZnO 기반 memristor 소자의 아날로그 메모리 특성 및 선형적, 대칭적 저항변화 특성을 구현하는 것임.
■ 전체 내용
1차년도: 플라즈마를 이용한 ZnO의 산소 공공 및 이종 원소 도핑 레벨 제어
◉ 플라즈마 공정의 주요 변수로는 플라즈마 내 이온의 에너지와 밀도를 제어 가능한 인가전력과 이온의
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