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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.19 no.3, 2010년, pp.199 - 205
이동욱 (한양대학교 물리학과, 양자기능 스피닉스 국가지정 연구실) , 송후영 (한양대학교 물리학과, 양자기능 스피닉스 국가지정 연구실) , 한동석 (한양대학교 물리학과, 양자기능 스피닉스 국가지정 연구실) , 김선필 (한양대학교 물리학과, 양자기능 스피닉스 국가지정 연구실) , 김은규 (한양대학교 물리학과, 양자기능 스피닉스 국가지정 연구실) , 이병철 (한국 원자력 연구소, 양자 광학 연구실)
The electrical properties and defect states in ZnO substrates were studied during high-energy electron beam irradiations. 1 MeV and 2 MeV electron-beam with dose of
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnO는 어떤 밴드갭과 에너지를 가지고 있는가? | 300 K에서 3.4 eV의 밴드갭과 60 mV의 엑시톤(exciton) 결합 에너지를 가지는 ZnO는 고효율 광전소자 특히, 자외선 영역의 발광소자로의 응용성이 높은 반도체 물질이다 [1]. 또한 상온에서의 높은 광효율과 낮은 동작전압의 소자를 제작 할 수 있어서, n형 및 p형 ZnO 층을 성장하기 위한 연구가 광범위하게 진행되고 있다. | |
ZnO는 어떤 반도체 물질인가? | 300 K에서 3.4 eV의 밴드갭과 60 mV의 엑시톤(exciton) 결합 에너지를 가지는 ZnO는 고효율 광전소자 특히, 자외선 영역의 발광소자로의 응용성이 높은 반도체 물질이다 [1]. 또한 상온에서의 높은 광효율과 낮은 동작전압의 소자를 제작 할 수 있어서, n형 및 p형 ZnO 층을 성장하기 위한 연구가 광범위하게 진행되고 있다. | |
반도체 물질의 결함 구조의 근원을 규명하고 결함구조를 제어를 통해 얻는 이점은? | 특히 도핑농도를 조절하기 위해서는 ZnO의 결함구조(defect structure)에 대한 이해가 필요하며, 일반적으로 반도체 물질의 결함(defect)에 대한 기초적인 물리적 분석과 이해가 없이는 p형 반도체 제작이 어렵다. 결함구조의 근원을 규명하고 결함구조 제어를 통해 발광 양자효율, 운반자농도 및 소수운반자 수명 등의 제어에 활용할 수 있다. 따라서, ZnO Schottky 다이오드 구조를 제작하고 전류-전압 및 전기용량-전압 특성과 DLTS (deep level transient spectroscopy) 측정 등을 통해 결함상태를 분석할 수 있다 [2-4]. |
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