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논문 상세정보

Polycrystalline NiO Thin Films Applicable to Nano-Storage Media

Polycrystalline NiO Thin Films Applicable to Nano-Storage Media

Journal of the Korean Physical Society v.52 , 2008년, pp.108 - 111  
Inrok Hwang, 박배호, Dongchul Kim, Inkyung Yoo, Jinho Lee, Jinsik Choi, Jinsoo Kim, Sahwan Hong, Sangho Jeon, Sanghoon Kim, Sunae Seo, 강성웅, Yong-Il Kim
초록

We have investigated local electrical properties of NiO thin filmsapplicable to nano-storage devices. Polycrystalline NiO thin filmswere deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by dc magnetronreactive sputtering methods. X-ray diffraction (XRD) data have shownthat polycrystalline NiO films without second phases were grown onthe substrates. We also observed root mean square roughness of 1.9nm in the 15μm × 15 μm area of a NiO film by usingatomic force microscopy (AFM) mode. Using conducting atomic forcemicroscopy (C-AFM) mode, we measured the change in local currentdistribution and found that the grown NiO films exhibited excellentresistance switching behavior at the nanoscale and good retentionbehavior of the written nano-sized domains. Moreover, weinvestigated the relation between pulse height and bit size. It waspossible to write 8×8 bits in 4×4 μm² area andto store digital information corresponding to several Gbit/inch². Therefore, we successfully showed the feasibility of NiO films asmedia for nano-storage devices.

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