기존의 MOCVD법에서 사용한 원료의 문제점을 개선 하기위한 일환으로, 값이 싸고 취급이 용이한 식초산아연 Zn(CH₃COO)₂·2H₂O을 원료로 선택하여 열 CVD법에 의해서 C축 배향성이 우수한 ZnO박막을 상압과 비교적 낮은 반응온도에서 빠른 성막속도로 합성 하였다. ZnO 박막은 250℃ 이상부터 성막이 시작 되었고, 온도가 올라 갈수록 적층량이 증가 하였으며, 380℃이상에서 얻은 박막은 표면이 균일하여 투명성이 좋았다. 예열온도는 260℃이상으로 올라 갈수록 오히려 적층량이 떨어졌다. 적층속도에 대하여 carrier ...
기존의 MOCVD법에서 사용한 원료의 문제점을 개선 하기위한 일환으로, 값이 싸고 취급이 용이한 식초산아연 Zn(CH₃COO)₂·2H₂O을 원료로 선택하여 열 CVD법에 의해서 C축 배향성이 우수한 ZnO박막을 상압과 비교적 낮은 반응온도에서 빠른 성막속도로 합성 하였다. ZnO 박막은 250℃ 이상부터 성막이 시작 되었고, 온도가 올라 갈수록 적층량이 증가 하였으며, 380℃이상에서 얻은 박막은 표면이 균일하여 투명성이 좋았다. 예열온도는 260℃이상으로 올라 갈수록 오히려 적층량이 떨어졌다. 적층속도에 대하여 carrier gas(N₂)의 유속, O₂의 유속이 변수로 작용 하였다. 산소가 존재 하지 않은 조건하에서도 성막이 가능 함으로 보아, ZnO박막증의 산소는 원료의 Zn에 결합된 산소로 부터도 주어짐을 알수가 있었고, 산소의 pulse 주입으로 적층량의 증가 효과를 보았다. 기판에 경사를 주는 실험은 10-20˚사이의 경사가 최적으로 나타났다.
기존의 MOCVD법에서 사용한 원료의 문제점을 개선 하기위한 일환으로, 값이 싸고 취급이 용이한 식초산아연 Zn(CH₃COO)₂·2H₂O을 원료로 선택하여 열 CVD법에 의해서 C축 배향성이 우수한 ZnO박막을 상압과 비교적 낮은 반응온도에서 빠른 성막속도로 합성 하였다. ZnO 박막은 250℃ 이상부터 성막이 시작 되었고, 온도가 올라 갈수록 적층량이 증가 하였으며, 380℃이상에서 얻은 박막은 표면이 균일하여 투명성이 좋았다. 예열온도는 260℃이상으로 올라 갈수록 오히려 적층량이 떨어졌다. 적층속도에 대하여 carrier gas(N₂)의 유속, O₂의 유속이 변수로 작용 하였다. 산소가 존재 하지 않은 조건하에서도 성막이 가능 함으로 보아, ZnO박막증의 산소는 원료의 Zn에 결합된 산소로 부터도 주어짐을 알수가 있었고, 산소의 pulse 주입으로 적층량의 증가 효과를 보았다. 기판에 경사를 주는 실험은 10-20˚사이의 경사가 최적으로 나타났다.
For the purpose of improving the use of raw materials, zinc acetate-2-water which is cheap and easy to handle was used to synthesize ZnO thin films by thermal CVD method, which gave a good C- axis orientation even at atmospheric pressure and at relatively low temperature. The formation of ZnO films ...
For the purpose of improving the use of raw materials, zinc acetate-2-water which is cheap and easy to handle was used to synthesize ZnO thin films by thermal CVD method, which gave a good C- axis orientation even at atmospheric pressure and at relatively low temperature. The formation of ZnO films starts from 250 ℃ and the deposition rate increases with increasing reaction temperature. On the other hand, the rate of deposition decreases with increasing the pre- heating temperature after 260 ℃. The transparency of ZnO films appeared after 380 ℃ The rate of deposition was affected by flow rates of N₂ and O₂. Without the flow of O₂, the oxygen required in synthesizing ZnO films was partially supplied by zinc acetate-2-water itself. The deposition amount was increased by using the pulse injection of oxygen, The tilt of suhstrate with angles, 10-20˚, has been known to be desirable in terms of the rate of deposition.
For the purpose of improving the use of raw materials, zinc acetate-2-water which is cheap and easy to handle was used to synthesize ZnO thin films by thermal CVD method, which gave a good C- axis orientation even at atmospheric pressure and at relatively low temperature. The formation of ZnO films starts from 250 ℃ and the deposition rate increases with increasing reaction temperature. On the other hand, the rate of deposition decreases with increasing the pre- heating temperature after 260 ℃. The transparency of ZnO films appeared after 380 ℃ The rate of deposition was affected by flow rates of N₂ and O₂. Without the flow of O₂, the oxygen required in synthesizing ZnO films was partially supplied by zinc acetate-2-water itself. The deposition amount was increased by using the pulse injection of oxygen, The tilt of suhstrate with angles, 10-20˚, has been known to be desirable in terms of the rate of deposition.
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