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NTIS 바로가기베이스(base) 영역과 에미터(emitter) 영역을 모두 이온주입 방법으로써 형성한 실리콘 포토트랜지스터를 제작하였다. 에미터 영역의 도핑량과 패키지의 렌즈 형태에 따른 포토트랜지스터의 光學的 特性과 電氣的 特性을 조사하였다. 에미터 영역을 형성하는 인이온의 도즈(dose)가 5 ×10^15cm^-2로 부터 9 ×10^15cm^-2일 때, 그 도즈가 많을 수록 受光感度가 우수했다. 또 패키지의 렌즈지름의 크기에 따라 수광감도와 그 스펙트럼 ...
Silicon phototransistors have been fabricated by a full ion-implantation method. The optical and electrical characteristics of the fabricated phototransistors have been investigated according to changes of the emitter-doping level and of the package-lens diameter. The operational characteristics of ...
저자 | 김광희 |
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학위수여기관 | 경북대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
발행연도 | 1990 |
총페이지 | 89p. |
키워드 | 에미터 영역 도핑량 패키지 렌즈형태 포토트랜지스터 수광특성 영향 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T2770649&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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