기상성장법으로 4H-PbI_(2) 결정을 성장시켰고, 성장된 4H-PbI_(2) 결정의 기초흡수단에서 11K에서의 Ar^(+) laser의 4880 Å, 4765 Å 그리고 4965 Å 각각의 빛 (E┴c, k//c)의 여기에 의한 photoluminescence 등을 연구하였다. 자유 여기자와 속박 여기자의 재결합에 의한 photoluminescence 선들이 각각 4946.5 Å, 4955 Å에서 나타남을 밝혔고, 5113 Å에 피크를 갖는 폭이 넓은 발광띠가 측정되었고 이 띠는 D - A pair의 재결합에 의한 photol...
기상성장법으로 4H-PbI_(2) 결정을 성장시켰고, 성장된 4H-PbI_(2) 결정의 기초흡수단에서 11K에서의 Ar^(+) laser의 4880 Å, 4765 Å 그리고 4965 Å 각각의 빛 (E┴c, k//c)의 여기에 의한 photoluminescence 등을 연구하였다. 자유 여기자와 속박 여기자의 재결합에 의한 photoluminescence 선들이 각각 4946.5 Å, 4955 Å에서 나타남을 밝혔고, 5113 Å에 피크를 갖는 폭이 넓은 발광띠가 측정되었고 이 띠는 D - A pair의 재결합에 의한 photoluminescence 띠라고 생각된다. Yu 등에 의해서 성장시킨 mixed type PbI_(2)결정은 2H PbI_(2)와 4H PbI_(2)의 photoluminescence 스펙트럼으로부터 2H PbI_(2)와 4H PbI_(2) 의 혼합된 결정임이 확인 되었다.
기상성장법으로 4H-PbI_(2) 결정을 성장시켰고, 성장된 4H-PbI_(2) 결정의 기초흡수단에서 11K에서의 Ar^(+) laser의 4880 Å, 4765 Å 그리고 4965 Å 각각의 빛 (E┴c, k//c)의 여기에 의한 photoluminescence 등을 연구하였다. 자유 여기자와 속박 여기자의 재결합에 의한 photoluminescence 선들이 각각 4946.5 Å, 4955 Å에서 나타남을 밝혔고, 5113 Å에 피크를 갖는 폭이 넓은 발광띠가 측정되었고 이 띠는 D - A pair의 재결합에 의한 photoluminescence 띠라고 생각된다. Yu 등에 의해서 성장시킨 mixed type PbI_(2)결정은 2H PbI_(2)와 4H PbI_(2)의 photoluminescence 스펙트럼으로부터 2H PbI_(2)와 4H PbI_(2) 의 혼합된 결정임이 확인 되었다.
4H-PbI_(2) crystals were grown by vapour phase method and the photoluminescence of the 4H-PbI_(2) crystal grown were investigated in the excitation of the light (E┴c, k//c) of 4880 Å, 4765 Å and 4965 Å of Ar^(+) laser, respectively, below the fundamental absorption edge at 11K. The photoluminescence...
4H-PbI_(2) crystals were grown by vapour phase method and the photoluminescence of the 4H-PbI_(2) crystal grown were investigated in the excitation of the light (E┴c, k//c) of 4880 Å, 4765 Å and 4965 Å of Ar^(+) laser, respectively, below the fundamental absorption edge at 11K. The photoluminescence lines due to the recombination of free exciton and bound exciton were found to be at 4946.5 Å and 4955 Å, respectively and the broad band luminescence which has peak at 5113 Å was measured and the band is considered to be caused by recombination of D - A pair. The mixed type PbI_(2) crystal grown by Yu et al. was found to be the mixed type crystal of 2H PbI_(2) and 4H PbI_(2) from the photoluminescence spectra of 2H PbI_(2) and 4H PbI_(2).
4H-PbI_(2) crystals were grown by vapour phase method and the photoluminescence of the 4H-PbI_(2) crystal grown were investigated in the excitation of the light (E┴c, k//c) of 4880 Å, 4765 Å and 4965 Å of Ar^(+) laser, respectively, below the fundamental absorption edge at 11K. The photoluminescence lines due to the recombination of free exciton and bound exciton were found to be at 4946.5 Å and 4955 Å, respectively and the broad band luminescence which has peak at 5113 Å was measured and the band is considered to be caused by recombination of D - A pair. The mixed type PbI_(2) crystal grown by Yu et al. was found to be the mixed type crystal of 2H PbI_(2) and 4H PbI_(2) from the photoluminescence spectra of 2H PbI_(2) and 4H PbI_(2).
주제어
#결정 Photoluminescence 밴드구조 결정구조
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