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Zinc acetate를 출발 물질로 하여 용매로 2-Methoxyethanol를 사용하였고 첨가재로 2-Aminoethanol를 사용하여 dip-coating법으로 Zno박막을 제조하였다. 200, 500℃의 온도에서 10분간 각각 열처리 한 후 마지막 3회 코팅 시에는 1시간동안 열처리하였다. 불순물 aluminum 과 lithium 을 첨가하여 ...

Zinc acetate를 출발 물질로 하여 용매로 2-Methoxyethanol를 사용하였고 첨가재로 2-Aminoethanol를 사용하여 dip-coating법으로 Zno박막을 제조하였다. 200, 500℃의 온도에서 10분간 각각 열처리 한 후 마지막 3회 코팅 시에는 1시간동안 열처리하였다. 불순물 aluminum 과 lithium 을 첨가하여 박막의 결정학적 방위, 광학적 성질 및 전기적 성질에 미치는 영향을 검토하였다. 슬라이드 유리에 코팅된 박막은 C축으로의 배향성이 뚜렷했으나 불순물이 첨가되면서 배향성이 안좋아졌다. 공기 중에서 열처리한 박막의 Sheet resistivity는 Aluminum 첨가 박막이 0.0175B Ω정도로 가장 낮았고 Lithium 첨가 박막의 Sheet resistivity가 상대적으로 높았다. 0.8㎛ 두께의 박막은 380nm보다 단파장역의 자외선을 모두 차단하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

ZnO thin films were fabricated by the dip-coating technique using zinc acetate as starting materials and 2-methoxyathanol and 2-aminoethanol as solvent. The product films were obtained by heat-treatment at 200℃ and 500℃ for 10 min, after each coating, followed by final heat-treatment at the same tem...

ZnO thin films were fabricated by the dip-coating technique using zinc acetate as starting materials and 2-methoxyathanol and 2-aminoethanol as solvent. The product films were obtained by heat-treatment at 200℃ and 500℃ for 10 min, after each coating, followed by final heat-treatment at the same temperature for 1h, respectively. The effects of impurities on optical properties, crystallographic orientation and electrical properties of films were measured also. The dopping ZnO films were poorly oriented, while The undopping ZnO films coated on slide glass were strongly oriented to c-axis. The sheet resistivity of the aluminum dopping films heat treated at 200℃ in air was about 0.01758 Ω and that of lithium dopping films heat treated at 500℃ in air was the highest value. The films with 0.8 ㎛ thickness cut off all of the radiations shorter than 380 nm.

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