GaN 반도체 재료는 직접천이형의 넓은 금지대역의 특성을 가져 청색, 순녹색 및 자외선 LED, 정보처리용 단파장 LD 및 높은 전자의 한계속도 특성을 이용하는 저잡음 초고속 HEMT, FET등 각종 광·전자 소자의 제작이 크게 기대되고 있다. 이러한 광소자를 제작하기 위해서는 좋은 Ohmic 특성이 필요한데, 특히 발광소자의 경우 저접촉저항 p-GaN의 전극 실현은 오랫동안 연구되고 있는 핵심기술이다. 본 논문에서는 p-type GaN 재료의 낮은 접촉저항을 얻기 위해서 일반적으로 많이 사용하고 있는 Ni/Au를 이용하여 전극을 제작하였다. 금속 ...
GaN 반도체 재료는 직접천이형의 넓은 금지대역의 특성을 가져 청색, 순녹색 및 자외선 LED, 정보처리용 단파장 LD 및 높은 전자의 한계속도 특성을 이용하는 저잡음 초고속 HEMT, FET등 각종 광·전자 소자의 제작이 크게 기대되고 있다. 이러한 광소자를 제작하기 위해서는 좋은 Ohmic 특성이 필요한데, 특히 발광소자의 경우 저접촉저항 p-GaN의 전극 실현은 오랫동안 연구되고 있는 핵심기술이다. 본 논문에서는 p-type GaN 재료의 낮은 접촉저항을 얻기 위해서 일반적으로 많이 사용하고 있는 Ni/Au를 이용하여 전극을 제작하였다. 금속 박막을 얇게 만들어 전극 역할과 동시에 LED에서 발생하는 빛이 금속에서 흡수되지 않고, 전면으로 방출되도록 하였다. 투명전극의 전기·광 특성은 Ni/Au(150A˚/150A˚)를 금속 증착 후 550℃에서 3분동안 air 분위기 조건으로 열처리 한 결과 2.1×10^-3Ω㎠와 광 투과율은 470nm에서 약 80%정도의 좋은 결과를 얻었다.
GaN 반도체 재료는 직접천이형의 넓은 금지대역의 특성을 가져 청색, 순녹색 및 자외선 LED, 정보처리용 단파장 LD 및 높은 전자의 한계속도 특성을 이용하는 저잡음 초고속 HEMT, FET등 각종 광·전자 소자의 제작이 크게 기대되고 있다. 이러한 광소자를 제작하기 위해서는 좋은 Ohmic 특성이 필요한데, 특히 발광소자의 경우 저접촉저항 p-GaN의 전극 실현은 오랫동안 연구되고 있는 핵심기술이다. 본 논문에서는 p-type GaN 재료의 낮은 접촉저항을 얻기 위해서 일반적으로 많이 사용하고 있는 Ni/Au를 이용하여 전극을 제작하였다. 금속 박막을 얇게 만들어 전극 역할과 동시에 LED에서 발생하는 빛이 금속에서 흡수되지 않고, 전면으로 방출되도록 하였다. 투명전극의 전기·광 특성은 Ni/Au(150A˚/150A˚)를 금속 증착 후 550℃에서 3분동안 air 분위기 조건으로 열처리 한 결과 2.1×10^-3Ω㎠와 광 투과율은 470nm에서 약 80%정도의 좋은 결과를 얻었다.
Abstract GaN compound semiconductors with a wide band gap energy and a direct band gap and high electron saturation velocity, can be used to make high performance opto-electronic devices high performance such as LED, LD, HEMT and FET. For opto-electronic devices application, it is essential to have ...
Abstract GaN compound semiconductors with a wide band gap energy and a direct band gap and high electron saturation velocity, can be used to make high performance opto-electronic devices high performance such as LED, LD, HEMT and FET. For opto-electronic devices application, it is essential to have a good ohmic properties. In this work, th formation of transparent electrodes using Ni/Au on p-type GaN materials has been studied to get a low contact resistance. Also, we tried to make introduce all light emission to the through surface except absorbtion by metal. After annealing at 550℃ for 3 min in air, a specific contact resistivity of 2.1×10^-3Ωcm^-2 and an optical transmittance of 80% at 470nm have seen obtained.
Abstract GaN compound semiconductors with a wide band gap energy and a direct band gap and high electron saturation velocity, can be used to make high performance opto-electronic devices high performance such as LED, LD, HEMT and FET. For opto-electronic devices application, it is essential to have a good ohmic properties. In this work, th formation of transparent electrodes using Ni/Au on p-type GaN materials has been studied to get a low contact resistance. Also, we tried to make introduce all light emission to the through surface except absorbtion by metal. After annealing at 550℃ for 3 min in air, a specific contact resistivity of 2.1×10^-3Ωcm^-2 and an optical transmittance of 80% at 470nm have seen obtained.
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