최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기재료가공의 영역에서 반도체소재인 단결정 실리콘재료의 가공결함해석을 시도하였다. 통상의 웨이퍼링공정의 단계별로 진행하면서 미세거칠기 및 PSD (power spectrum density)의 측정을 하여 PSD가 보다 정확한 정보를 준다는 사실을 확인하였다. 또한 최종 CMP (chemical mechanical polishing) 공정의 연마량의 증가에 따라 잔류손상이 SSIS (scanning surface inspection system) 에서 LPD (Light point defect) 의 일종인 E(lectrical)-scratch로 인식되는 것을 검출량이 줄어든다는 것을 AFM (atomic force microscop e) 으로 형상분석 비교하여 확인하였고, 동시에 파괴강도가 증가하면서 휨 현상이 줄어듦을 확인하였다. 고정연마제기구의 기초연구로 다이아몬드 팁에 의한 실리콘 표면의 scratching 실험을 행하여 이를 micro-Raman spectroscopy를 이용하여 결정방향 및 scratching의 속도에 따라 변화되는 균열과 고압상형성의 변화를 관찰하였다. 실질적인 응용단계로 넘어가 고정연마제방식인 정밀연삭으로 인한 기계적 손상의 주된 요인이 휠패턴을 분석하고 모델링하였다. 또한 이의 공정변수를 인자로 하고 여러 휠패턴의 곡률값, 파괴강도 및 휨현상의 분석을 특성치로 하여 ...
The behavior of process induced damage of semiconductor Cz silicon wafer was characterized and it was included in the research area of material processing and machining. The surface topological behavior during general wafering process was reviewed. PSD (power spectrum density) curve was more accurat...
저자 | 오한석 |
---|---|
학위수여기관 | 연세대학교 대학원 |
학위구분 | 국내박사 |
학과 | 세라믹공학과 |
지도교수 | 이홍림 |
발행연도 | 2002 |
총페이지 | xiv, 224 p. |
키워드 | 실리콘 동질이상 고압상 재료가공 실리콘가공 가공손상 잔류손상 기계적손상 정밀연삭 연삭숫돌 휠패턴 웨이퍼링공정 미세거칠기 거칠기 헤이즈 평탄도 나노평탄도 실험계획법 파괴강도 scratching 실험 silicon high pressure mode material processing material machining wafering process process induced damage residual damage mechanical damage fine grinding grinding wheel wheel pattern CMP LLS LPD SSIS microroughness roughness haze flatness nanotopology design of experiments fracture strength micro-Raman magic mirror scratching test |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T8136130&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.