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NTIS 바로가기낮은 기판온도에서 전자빔 가열법에 의하여 증착하고 진공에서 산소를 주입하면서 열처리된 ITO 박막을 제작하여, 투과율과 면저항의 변화를 대기 중 열처리된 ITO 박막과 비교하여 분석하였다. 대기와 진공에서 열처리된 ITO 박막 모두 열처리 온도 증가에 따라 투과율이 증가하였고, 면저항은 낮아지는 경향을 보였다. 진공 열처리에서는 산소분압의 증가에 따라 투과율이 증가하였으며, 흡수 없는 ITO 박막을 위한 최적 조건은 280 ℃의 열처리 온도와 5×10-5 Torr의 산소분압 이었다. 대기보다 진공 열처리에서 더 높은 투과율과 더 낮은 면저항을 얻었다. 고온 기판온도에서 이온보조방법으로 제작된 ITO 박막은 첨가된 주석의 영향으로 (222) 방향이 우세하게 배향되었다. 위 조건의 ...
Indium tin oxide(ITO) thin films have been prepared at low substrate temperature by electron-beam-evporation. Deposited ITO films were annealed at vacuum introduced oxygen. Optical and electrical properties of ITO film annealed in air and vacuum were investigated. In both of annealings of air and va...
저자 | 이임영 |
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학위수여기관 | 단국대학교 대학원 |
학위구분 | 국내박사 |
학과 | 물리학과 고체물리학전공 |
발행연도 | 2003 |
총페이지 | v, 106p. |
키워드 | 전자빔 증착 ITO 박막▼ 광학 전기 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T9066467&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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