기능성도판트 NSA[2-naphthalenesulfonic acid], DBSA[dodecyl benzenesulfonic acid], DEHSNa [di(2-ethylhexyl) sulfosuccinate sodium salt]를 사용하여 폴리피롤을 화학적으로 합성하였다. 또한 도판트 DEHSNa의 양(0.125 mol, 0.1 mol, 0.075 mol, 0.05 mol)을 조절하여 폴리피롤을 합성하였다. FT-IR스펙트럼을 통해 Ppy-NSA, Ppy-DBSA, Ppy-DEHS이 합성됨을 확인하였다. 합성된 폴리피롤은 열중량 분석 결과 250℃에서 350℃까지 열적안정성을 나타내었다. 폴리피롤을 활성층으로 적용하여 FET 소자를 제작하였고, 소자특성을 관찰하였다. 합성된 폴리피롤 중 Ppy-DEHS를 활성층에 적용한 소자에서 상대적으로 높은 전계효과이동도와 전류점멸비가 관찰되었다. 이러한 높은 전계효과 이동도는 활성층박막의 상대적으로 높은 결정성과 균일한 표면상태에 기인한다. 합성시 사용된 도판트 양의 증가에 따라 Ppy-DEHS의 전기 전도도는 증가하였다. 폴리피롤의 전기전도도의 증가는 FET 소자의 소자 특성인 전계효과이동도를 증가시키는 경향을 나타내었다. 그러나 전기전도도의 증가는 전류점멸비는 감소시키는 결과를 나타내었다. 도판트 양이 0.1mol 사용된 폴리피롤을 활성층으로 적용한 FET소자의 경우에서 상대적으로 우수한 소자특성(전계효과이동도 : 0.31 ㎠/vs, 전류점멸비 : 1.42×10^(2))이 관찰되었다. 이러한 결과는 상대적으로 높은 결정성과, 조밀하고, 균일한 표면상태의 Ppy-DEHS 활성층 박막에서의 전하이동의 용이함에 기인한다.
기능성도판트 NSA[2-naphthalenesulfonic acid], DBSA[dodecyl benzenesulfonic acid], DEHSNa [di(2-ethylhexyl) sulfosuccinate sodium salt]를 사용하여 폴리피롤을 화학적으로 합성하였다. 또한 도판트 DEHSNa의 양(0.125 mol, 0.1 mol, 0.075 mol, 0.05 mol)을 조절하여 폴리피롤을 합성하였다. FT-IR스펙트럼을 통해 Ppy-NSA, Ppy-DBSA, Ppy-DEHS이 합성됨을 확인하였다. 합성된 폴리피롤은 열중량 분석 결과 250℃에서 350℃까지 열적안정성을 나타내었다. 폴리피롤을 활성층으로 적용하여 FET 소자를 제작하였고, 소자특성을 관찰하였다. 합성된 폴리피롤 중 Ppy-DEHS를 활성층에 적용한 소자에서 상대적으로 높은 전계효과이동도와 전류점멸비가 관찰되었다. 이러한 높은 전계효과 이동도는 활성층박막의 상대적으로 높은 결정성과 균일한 표면상태에 기인한다. 합성시 사용된 도판트 양의 증가에 따라 Ppy-DEHS의 전기 전도도는 증가하였다. 폴리피롤의 전기전도도의 증가는 FET 소자의 소자 특성인 전계효과이동도를 증가시키는 경향을 나타내었다. 그러나 전기전도도의 증가는 전류점멸비는 감소시키는 결과를 나타내었다. 도판트 양이 0.1mol 사용된 폴리피롤을 활성층으로 적용한 FET소자의 경우에서 상대적으로 우수한 소자특성(전계효과이동도 : 0.31 ㎠/vs, 전류점멸비 : 1.42×10^(2))이 관찰되었다. 이러한 결과는 상대적으로 높은 결정성과, 조밀하고, 균일한 표면상태의 Ppy-DEHS 활성층 박막에서의 전하이동의 용이함에 기인한다.
Polypyrroles doped with NSA[2-naphthalenesulfonic acid], DBSA[dodecyl benzenesulfonic acid], DEHSNa [di(2-ethylhexyl) sulfosuccinate sodium salt] were synthesized chemically and their structures were confirmed by FT-IR spectra. Polypyrroles showed thermal stability up to 250℃ ~ 350℃ range. FET devic...
Polypyrroles doped with NSA[2-naphthalenesulfonic acid], DBSA[dodecyl benzenesulfonic acid], DEHSNa [di(2-ethylhexyl) sulfosuccinate sodium salt] were synthesized chemically and their structures were confirmed by FT-IR spectra. Polypyrroles showed thermal stability up to 250℃ ~ 350℃ range. FET devices using doped polypyrrole as active layer were fabricated and their device characteristics were measured. Devices using Ppy-DEHS showed relatively high field effect mobility and I_(on)/I_(off) ratio. Electrical conductivity of Ppy-DEHS increased as the amount of dopant increased. Increase in conductivity led to the increase in field effect mobility. However, increase in conductivity led to the decrease in I_(on)/I_(off) ratio. FET device using Ppy-DEHSO_(0.1) as an active layer showed relatively excellent performance.(field effect mobility : 0.31 ㎠/Vs, I_(on)/I_(off) ratio : 1.42×10^(2)) These results may be due to the partly crystalline, dense and homogeneous surface structure of the active layer which make charge carrier more mobile.
Polypyrroles doped with NSA[2-naphthalenesulfonic acid], DBSA[dodecyl benzenesulfonic acid], DEHSNa [di(2-ethylhexyl) sulfosuccinate sodium salt] were synthesized chemically and their structures were confirmed by FT-IR spectra. Polypyrroles showed thermal stability up to 250℃ ~ 350℃ range. FET devices using doped polypyrrole as active layer were fabricated and their device characteristics were measured. Devices using Ppy-DEHS showed relatively high field effect mobility and I_(on)/I_(off) ratio. Electrical conductivity of Ppy-DEHS increased as the amount of dopant increased. Increase in conductivity led to the increase in field effect mobility. However, increase in conductivity led to the decrease in I_(on)/I_(off) ratio. FET device using Ppy-DEHSO_(0.1) as an active layer showed relatively excellent performance.(field effect mobility : 0.31 ㎠/Vs, I_(on)/I_(off) ratio : 1.42×10^(2)) These results may be due to the partly crystalline, dense and homogeneous surface structure of the active layer which make charge carrier more mobile.
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