저순도 및 고순도 Si 분말을 사용하여 무가압 분말 충전 성형법에 의해 Si 성형체를 제조하여 질화반응 소결을 통한 반응소결체에 관한 연구를 진행하였다. 평균입경이 각각 23과 25㎛인 저순도 및 고순도 Si분말을 무가압 분말 충전한 후 결합제(20wt% 페놀수지용액)를 침투시켜 성형밀도 55∼60%인 균일한 성형체를 제조하였다. 이 Si 성형체를 1400, 1450℃의 온도에서 10, 20시간동안 유지하여 질화반응을 한 후에 제조된 반응 소결체의 ...
저순도 및 고순도 Si 분말을 사용하여 무가압 분말 충전 성형법에 의해 Si 성형체를 제조하여 질화반응 소결을 통한 반응소결체에 관한 연구를 진행하였다. 평균입경이 각각 23과 25㎛인 저순도 및 고순도 Si분말을 무가압 분말 충전한 후 결합제(20wt% 페놀수지용액)를 침투시켜 성형밀도 55∼60%인 균일한 성형체를 제조하였다. 이 Si 성형체를 1400, 1450℃의 온도에서 10, 20시간동안 유지하여 질화반응을 한 후에 제조된 반응 소결체의 X-선 회절분석과 미세구조 관찰을 통해 질화반응 과정을 확인하였다. 질화반응 소결체의 X-선 회절분석에서 질화반응에 의해 형성된 Si_(3)N_(4)는 α상이 주된 생성물임을 확인하였으며, 미세구조 관찰을 통해 Vapor-Liquid-Solid에 의한 반응기구에 의한 α-needle상이 기공내로 형성, 성장함을 알 수 있었다. Si 성형체의 질화반응시 저순도의 Si 분말에 소결조제와 Si_(3)N_(4)를 첨가한 시편의 경우, 1450℃, 20시간 질화반응 소결하여 질화반응정도 91%, 상대밀도 66%, 기공률 28%의 반응 소결체를 제조하였으며, 꺾임강도와 경도값은 각각 120MPa, 1800MN/㎡을 나타내었다.
저순도 및 고순도 Si 분말을 사용하여 무가압 분말 충전 성형법에 의해 Si 성형체를 제조하여 질화반응 소결을 통한 반응소결체에 관한 연구를 진행하였다. 평균입경이 각각 23과 25㎛인 저순도 및 고순도 Si분말을 무가압 분말 충전한 후 결합제(20wt% 페놀수지용액)를 침투시켜 성형밀도 55∼60%인 균일한 성형체를 제조하였다. 이 Si 성형체를 1400, 1450℃의 온도에서 10, 20시간동안 유지하여 질화반응을 한 후에 제조된 반응 소결체의 X-선 회절분석과 미세구조 관찰을 통해 질화반응 과정을 확인하였다. 질화반응 소결체의 X-선 회절분석에서 질화반응에 의해 형성된 Si_(3)N_(4)는 α상이 주된 생성물임을 확인하였으며, 미세구조 관찰을 통해 Vapor-Liquid-Solid에 의한 반응기구에 의한 α-needle상이 기공내로 형성, 성장함을 알 수 있었다. Si 성형체의 질화반응시 저순도의 Si 분말에 소결조제와 Si_(3)N_(4)를 첨가한 시편의 경우, 1450℃, 20시간 질화반응 소결하여 질화반응정도 91%, 상대밀도 66%, 기공률 28%의 반응 소결체를 제조하였으며, 꺾임강도와 경도값은 각각 120MPa, 1800MN/㎡을 나타내었다.
Si compact was made by Pressureless Powder Packing Method using low and high pure Si powders. Study on reaction-bonded sintered body was performed, folowed by nitridation-reaction sintering of Si compact. Si compact with 55∼60% green density was obtained by PLPP forming method using low and high pur...
Si compact was made by Pressureless Powder Packing Method using low and high pure Si powders. Study on reaction-bonded sintered body was performed, folowed by nitridation-reaction sintering of Si compact. Si compact with 55∼60% green density was obtained by PLPP forming method using low and high pure Si powders, which each average particle size is 23 and 25㎛. Si compact was reaction-bonded at 1400 and 1450℃ for 10 and 20hr. Nitridation-reaction process was confirmed by XRD analysis and microstructure observation of sintered body. It was confirmed that major phase of formed Si_(3)N_(4) was α-phase and α-needle was grown into pores by VLS mechanism. In case of nitridation-reaction sintering specimen of low pure Si powder added sintering aids and Si_(3)N_(4) at 1450℃ for 20hr, reaction sintered body showed 91% nitridation, 66% relative density and 28% porosity, and had 120Mpa flexural strength and 1800MN/㎡ hardness.
Si compact was made by Pressureless Powder Packing Method using low and high pure Si powders. Study on reaction-bonded sintered body was performed, folowed by nitridation-reaction sintering of Si compact. Si compact with 55∼60% green density was obtained by PLPP forming method using low and high pure Si powders, which each average particle size is 23 and 25㎛. Si compact was reaction-bonded at 1400 and 1450℃ for 10 and 20hr. Nitridation-reaction process was confirmed by XRD analysis and microstructure observation of sintered body. It was confirmed that major phase of formed Si_(3)N_(4) was α-phase and α-needle was grown into pores by VLS mechanism. In case of nitridation-reaction sintering specimen of low pure Si powder added sintering aids and Si_(3)N_(4) at 1450℃ for 20hr, reaction sintered body showed 91% nitridation, 66% relative density and 28% porosity, and had 120Mpa flexural strength and 1800MN/㎡ hardness.
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