$S_nO_2$ film 의 전기 전도도를 연구하였다. 가열된 유리 기판 위에 $S_nCl_4$ 용액을 분무해서 $S_nO_2$ film 을 제조하여, 대기 중에서 $550\,^\circ\!C \sim 650\,^\circ\!C$ 의 온도 범위와 $600\,^\circ\!C$ 에서 $\frac15$ 기압에서 1기압까지의 산소 부분압의 범위에서 열처리 중의 전기 전도도의 변화를 실험하고, 전기 전도도의 감소 기구를 알기위해 준화학 식들을 가정하였다. 여기서, 전기 전도도와 산소 부분압의 관계는 $\sigma = const\; P_{O_2}^{-\frac{1}{5.8}$ 이었고, 이로부터 $S_nO_2$ 의 주된 defect 는 doubly charged ...
$S_nO_2$ film 의 전기 전도도를 연구하였다. 가열된 유리 기판 위에 $S_nCl_4$ 용액을 분무해서 $S_nO_2$ film 을 제조하여, 대기 중에서 $550\,^\circ\!C \sim 650\,^\circ\!C$ 의 온도 범위와 $600\,^\circ\!C$ 에서 $\frac15$ 기압에서 1기압까지의 산소 부분압의 범위에서 열처리 중의 전기 전도도의 변화를 실험하고, 전기 전도도의 감소 기구를 알기위해 준화학 식들을 가정하였다. 여기서, 전기 전도도와 산소 부분압의 관계는 $\sigma = const\; P_{O_2}^{-\frac{1}{5.8}$ 이었고, 이로부터 $S_nO_2$ 의 주된 defect 는 doubly charged oxygen vacancy 일 것으로 판단되었다. doubly charged oxygen vacancy 를 형성하기 위한 excitation energy 는 27 kcal/mole 이었고, 평형에 도달하기 위한 정반응 속도 상수의 kinetic activation energy 는 24 kcal/mole 이었다. Sb 를 doping 하였을 때 전기 전도도의 증가와 열적인 안정성을 보여 주었다. X - ray diffraction 법과 replica 법에 의한 전자 현미경 사진의 결과로 film 은 다결정질인 $S_nO_2$ 였고, 6시간의 열처리중 입자 성장은 거의 없었다.
$S_nO_2$ film 의 전기 전도도를 연구하였다. 가열된 유리 기판 위에 $S_nCl_4$ 용액을 분무해서 $S_nO_2$ film 을 제조하여, 대기 중에서 $550\,^\circ\!C \sim 650\,^\circ\!C$ 의 온도 범위와 $600\,^\circ\!C$ 에서 $\frac15$ 기압에서 1기압까지의 산소 부분압의 범위에서 열처리 중의 전기 전도도의 변화를 실험하고, 전기 전도도의 감소 기구를 알기위해 준화학 식들을 가정하였다. 여기서, 전기 전도도와 산소 부분압의 관계는 $\sigma = const\; P_{O_2}^{-\frac{1}{5.8}$ 이었고, 이로부터 $S_nO_2$ 의 주된 defect 는 doubly charged oxygen vacancy 일 것으로 판단되었다. doubly charged oxygen vacancy 를 형성하기 위한 excitation energy 는 27 kcal/mole 이었고, 평형에 도달하기 위한 정반응 속도 상수의 kinetic activation energy 는 24 kcal/mole 이었다. Sb 를 doping 하였을 때 전기 전도도의 증가와 열적인 안정성을 보여 주었다. X - ray diffraction 법과 replica 법에 의한 전자 현미경 사진의 결과로 film 은 다결정질인 $S_nO_2$ 였고, 6시간의 열처리중 입자 성장은 거의 없었다.
$SnO_2$ film was prepared by spraying $SnCl_4$ solution on the hot glass substrate. The electrical conductivity of $SnO_2$ film in a thermal treatment was investigated in air at 550$^\circ$C - 650$^\circ$C and $\frac{1}{5}$ to 1 atmosphere in oxygen partial pressure at 600$^\circ$C. Quasichemical eq...
$SnO_2$ film was prepared by spraying $SnCl_4$ solution on the hot glass substrate. The electrical conductivity of $SnO_2$ film in a thermal treatment was investigated in air at 550$^\circ$C - 650$^\circ$C and $\frac{1}{5}$ to 1 atmosphere in oxygen partial pressure at 600$^\circ$C. Quasichemical equations were assumed to find the mechanism of conductivity decrease in a thermal treatment. The relation of electrical conductivity and oxygen partial pressure was $\alpha$= const $Po_2 -\frac{1}{5.8}$ It seemed that main defect of $SnO_2$ was doubly charged oxygen vacancy. The excitation energy for formation of doubly charged oxygen vacancy was 27$\pm$ 0.4 Kcal/mole. The kinetic activation energy of forward reaction rate constant toward an equilibrium was 14 $\pm$ 0.3 Kcal/mole. A study of film by X-ray diffraction method and electronmicroscope by replica method showed that it was polycrystalline $SnO_2$ film.
$SnO_2$ film was prepared by spraying $SnCl_4$ solution on the hot glass substrate. The electrical conductivity of $SnO_2$ film in a thermal treatment was investigated in air at 550$^\circ$C - 650$^\circ$C and $\frac{1}{5}$ to 1 atmosphere in oxygen partial pressure at 600$^\circ$C. Quasichemical equations were assumed to find the mechanism of conductivity decrease in a thermal treatment. The relation of electrical conductivity and oxygen partial pressure was $\alpha$= const $Po_2 -\frac{1}{5.8}$ It seemed that main defect of $SnO_2$ was doubly charged oxygen vacancy. The excitation energy for formation of doubly charged oxygen vacancy was 27$\pm$ 0.4 Kcal/mole. The kinetic activation energy of forward reaction rate constant toward an equilibrium was 14 $\pm$ 0.3 Kcal/mole. A study of film by X-ray diffraction method and electronmicroscope by replica method showed that it was polycrystalline $SnO_2$ film.
주제어
#Electric conductivity Microstructure 전기 전도 전기적 성질 산화주석 미세 구조 Tin oxide
학위논문 정보
저자
Lee, Jung-Yong
학위수여기관
한국과학기술원
학위구분
국내석사
학과
재료공학과
발행연도
1976
총페이지
iii, 45 p.
키워드
Electric conductivity Microstructure 전기 전도 전기적 성질 산화주석 미세 구조 Tin oxide
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