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NTIS 바로가기The density of localized states in a-$S_i$ prepared by vacuum evaporation was investigated by the Field Effect Techn que. Substrate temperature was 350$^\circ$C and deposition rates of less than 1.5A/sec were employed during deposition. The density of localized states at the Fermi level is about $10...
저자 | Rhee, Joo-Yull |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 물리학과 |
발행연도 | 1980 |
총페이지 | [ii], 34 p. |
키워드 | Silicon Energy level densities 비정질 반도체 규소 상태 밀도 Amorphous semiconductors |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10506614&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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