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학위논문 상세정보

SiH4와 Si2H6로 부터 증착된 다결정-실리콘을 이용한 Poly-SiTFT의 제작과 전기적 및 구조적 특성 분석에 대한 연구

A analysis of the electrical and structural characteristics of Poly-SiTFT fabricated using Poly-Si films deposited from SiH4 and Si2H6


Lee, Jong-Wook (한국과학기술원 전기 및 전자공학과 국내석사)
Abstract

The characteristics of poly-Si TFTs fabricated using poly-Si film deposited from $SiH_4$ (silane) and $Si_2H_6$ (disilane) have been investigated. The deposition temperature used in depositing poly-Si films, which affects significantly the structural characteristics of the deposited poly-Si film, wa...

주제어

#Silane Silicon crystalsElectrical properties Polycrystalline semiconductors 박막 트랜지스터 다결정 실리콘 함유 중합체 증착막 전기적 성질 Thin film transistors;

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

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저자 Lee, Jong-Wook
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내석사
학과 전기 및 전자공학과
발행년도 1992
총페이지 84 p.
키워드 Silane Silicon crystalsElectrical properties Polycrystalline semiconductors 박막 트랜지스터 다결정 실리콘 함유 중합체 증착막 전기적 성질 Thin film transistors
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10509437&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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