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NTIS 바로가기Uniform polycrystalline $CoSi_{2}$ layers have been grown in situ on a polycrystalline Si substrate at temperature ranging from $600^\circ C$ to $650^\circ C$ by reaction chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, $(C_{5}H_{5})Co(CO)_{2}$. The growth behavior and thermal stabil...
저자 | 김선일 |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 재료공학과 |
지도교수 | 안병태,Ahn, Byung-Tae |
발행연도 | 2001 |
총페이지 | 75p. |
키워드 | CoSi₂ thermal stability chemical vapor deposition TiN 코발트 실리사이드 열적안정성 화학기상증착법 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10515733&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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