최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기A CMOS process which employs only single ion-implantation step for the p-well has been designed and tested This process is relatively easy to use and maintain in university laboratory environment since the expensive ion-implantation process can be carried out outside the university laboratory. Proce...
저자 | 경기명 |
---|---|
학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기및전자공학전공 |
지도교수 | 김충기,Kim, Choong-Ki |
발행연도 | 2000 |
총페이지 | i, 53 p. |
키워드 | CMOS Diffusion Boron penetration 확산 불순물 확산 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10515771&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.