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NTIS 바로가기Cu is promising material for the future interconnection in Si-based integrated circuits due to its lower resistivity and better electromigration resistance as compared to aluminium. However Cu is very mobile in Si at elevated temperature and creates the deep trap level that degrades device reliabili...
저자 | 장유진 |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 재료공학과 |
지도교수 | 박종욱,Park, Chong-Ook |
발행연도 | 1999 |
총페이지 | ⅳ, 68 p. |
키워드 | Ta-N Sputtering Diffusion barrier Cu 탄탈륨 스퍼터링 확산방지막 구리 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10522170&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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