Sapphire 기판 위에 buffer, u-Gan, n-GaN,을 차례로 성장 후 MQW구조를 온도, In유량, growth rate를 변화시켜 가며 실험하였다. MQW 의 최적조건을 잡은 후GaN 박막의 patterning을 통해 기판의 일부 영역에서만 우선적으로 성장이 일어나게끔 조절하여 특수 3D구조물을 성장시켰다. 이는 ...
Sapphire 기판 위에 buffer, u-Gan, n-GaN,을 차례로 성장 후 MQW구조를 온도, In유량, growth rate를 변화시켜 가며 실험하였다. MQW 의 최적조건을 잡은 후GaN 박막의 patterning을 통해 기판의 일부 영역에서만 우선적으로 성장이 일어나게끔 조절하여 특수 3D구조물을 성장시켰다. 이는 양자점 결정성의 저하를 막으면서 양자점 분포의 인위적인 조절이 용이하다는 장점이 있다. AAO (Anodized Alumium Oxide) templeat 을 사용해 ICP etching 으로 patterning 하고, 박막 성장은 MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition )system을 이용했고, 광학적 특성 연구로는 주로 PL(Photoluminescence)분석을 하였다.
Sapphire 기판 위에 buffer, u-Gan, n-GaN,을 차례로 성장 후 MQW구조를 온도, In유량, growth rate를 변화시켜 가며 실험하였다. MQW 의 최적조건을 잡은 후GaN 박막의 patterning을 통해 기판의 일부 영역에서만 우선적으로 성장이 일어나게끔 조절하여 특수 3D구조물을 성장시켰다. 이는 양자점 결정성의 저하를 막으면서 양자점 분포의 인위적인 조절이 용이하다는 장점이 있다. AAO (Anodized Alumium Oxide) templeat 을 사용해 ICP etching 으로 patterning 하고, 박막 성장은 MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition )system을 이용했고, 광학적 특성 연구로는 주로 PL(Photoluminescence)분석을 하였다.
Multi-quantum well(MQW) structure was grown to change the temperature, indium mass flow, growth rate after grown buffer, u-Gan, n-GaN on the c-plane sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system. After finish the MQW experiment, We present an integrative fabrication pr...
Multi-quantum well(MQW) structure was grown to change the temperature, indium mass flow, growth rate after grown buffer, u-Gan, n-GaN on the c-plane sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system. After finish the MQW experiment, We present an integrative fabrication process for ordered InGaN/GaN pyramid. The quantum structures are created on a GaN surface by transferring ordered nanoholes from a porous anodic aluminum oxide(AAO) film to a SiO₂ thin film followed by selective epitaxial growth of InGaN/GaN quantum structure. This fabrication process takes advantage of top-down technology to produce orderd nanohole in the SiO₂ film forming as the mask for subsepuent MOCVD growth, and also takes advantage of MOCVD epitaxial growth technology to grow high quality. The quantum structure were measured for their optical properties by photolumin- escence(PL) spectrum.
Multi-quantum well(MQW) structure was grown to change the temperature, indium mass flow, growth rate after grown buffer, u-Gan, n-GaN on the c-plane sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system. After finish the MQW experiment, We present an integrative fabrication process for ordered InGaN/GaN pyramid. The quantum structures are created on a GaN surface by transferring ordered nanoholes from a porous anodic aluminum oxide(AAO) film to a SiO₂ thin film followed by selective epitaxial growth of InGaN/GaN quantum structure. This fabrication process takes advantage of top-down technology to produce orderd nanohole in the SiO₂ film forming as the mask for subsepuent MOCVD growth, and also takes advantage of MOCVD epitaxial growth technology to grow high quality. The quantum structure were measured for their optical properties by photolumin- escence(PL) spectrum.
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