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NTIS 바로가기본 논문에서는 금속성과 반도체가 혼합되어 있는 단일층 탄소나노튜브(SWNT)를 수산화나트륨과 원심분리기를 이용하여 수용액상에서 분리를 하는 방법을 소개한다. 반도체 SWNT는 수용액의 부유층에 위치하며, 반면에 금속성 SWNT는 침전된다. 이러한 분리는 금속성 SWNT의 electrionic structure에 의해 수산화이온이 선택적 부착되고, 각 수산화이온의 ...
저자 | 허건의 |
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학위수여기관 | 연세대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기전자공학과 |
지도교수 | 김현재 |
발행연도 | 2010 |
총페이지 | v, 60장 |
키워드 | 단일층 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 금속성 및 반도체성 탄소나노튜브 분리 인듐-갈륨-아연 산화물 수용액 공정 Single-walled carbon nanotube separation of semiconducting and metallic SWNT solution indium gallium zinc oxide thin-film transitor |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T11994733&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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