초록 ▼

용어보기논문에서 용어와 풀이말을 자동 추출한 결과로, 시범 서비스 중입니다. AI-Helper

플라스틱 기판은 유리에 비해 가볍고, 유연하고, 투명성이 좋은 장점이 있기에 플렉서블 디스플레이 산업에서 큰 관심을 가지고 있다. 이를 이용하여 유기물 반도체의 정렬을 통한 OFET의 이동도 향상에 대한 연구를 진행하였다. 표면의 러빙처리와 기판 자체의 stretching을 통해 기판 표면에 이방성을 주었고 그 후 유기물의 증착을 통해 일정방향의 배향을 확인하였으며 배향된 유기물을 바탕으로 OFET를 제작하였다. 유기물의 배향정도와 배향 방향에 따라 OFET의 이동도의 차이가 약 10배 정도 나타남을 확인할 수 있었다. 또한 플라스틱기판이 디스플에이에 사용되기 위해서는 산소나 수분 등의 기체 차단성이 요구된다. 이를 위해 TMA와 oxygen plasma를 이용하며 Al2O3막을 제조하여 특성을 확인하였고 단일 Al2O3막의 특성 향상을 위해 Ag와 Al층을 2~40nm 삽입하여 WVTR 특성 및 bending 특성을 확인하였다. 금속층을 삽입함으로써 기체투과 특성 및 bending특성 향상(10-3g/m2.day)을 확인하였고 PEALD를 이용한 Al2O3박막의 플라스틱 기판의 기체투과를 억제하는 ...

플라스틱 기판은 유리에 비해 가볍고, 유연하고, 투명성이 좋은 장점이 있기에 플렉서블 디스플레이 산업에서 큰 관심을 가지고 있다. 이를 이용하여 유기물 반도체의 정렬을 통한 OFET의 이동도 향상에 대한 연구를 진행하였다. 표면의 러빙처리와 기판 자체의 stretching을 통해 기판 표면에 이방성을 주었고 그 후 유기물의 증착을 통해 일정방향의 배향을 확인하였으며 배향된 유기물을 바탕으로 OFET를 제작하였다. 유기물의 배향정도와 배향 방향에 따라 OFET의 이동도의 차이가 약 10배 정도 나타남을 확인할 수 있었다. 또한 플라스틱기판이 디스플에이에 사용되기 위해서는 산소나 수분 등의 기체 차단성이 요구된다. 이를 위해 TMA와 oxygen plasma를 이용하며 Al2O3막을 제조하여 특성을 확인하였고 단일 Al2O3막의 특성 향상을 위해 Ag와 Al층을 2~40nm 삽입하여 WVTR 특성 및 bending 특성을 확인하였다. 금속층을 삽입함으로써 기체투과 특성 및 bending특성 향상(10-3g/m2.day)을 확인하였고 PEALD를 이용한 Al2O3박막의 플라스틱 기판의 기체투과를 억제하는 배리어 필름으로의 가능성을 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

We fabricated copper phthalocyanine (CuPc) thin-film field-effect transistors (FETs) on a rubbed flexible polyethersulfone (PES) substrate. Rubbing the PES film induced a uniaxial orientation of CuPc crystallites, which were oriented perpendicular to the rubbing direction. Favorable conditions for f...

We fabricated copper phthalocyanine (CuPc) thin-film field-effect transistors (FETs) on a rubbed flexible polyethersulfone (PES) substrate. Rubbing the PES film induced a uniaxial orientation of CuPc crystallites, which were oriented perpendicular to the rubbing direction. Favorable conditions for fabricating a CuPc FET were determined after fabricating CuPc FETs of two different types and evaluating their output performance. Well-aligned CuPc crystallites along the direction connecting source and drain electrodes can play an important role in improving the output performance of the fabricated FETs. Another purpose of the present work is to explore the conditions necessary for PEALD of aluminum oxide multilayer on plastic substrates by TMA and oxygen plasma and metal evaporator. Aluminum oxide layers were successfully deposited on plastic substrates via plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) process using trimethylaluminum (TMA) and oxygen Several process parameters in PEALD process were optimized. Due to the ductility of the Ag layer that is located in Al2O3 layer, Al2O3/Ag/Al2O3 multilayer passivation exhibits a improved flexibility each metal`s thickness. Thin and densely packed aluminum oxide layers deposited via PEALD showed the potentials as promising barrier coating layers for plastic substrates.