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NTIS 바로가기The annealing process of metalized wafers at the low temperature in hydrogen ambient is very effective on improving the MOS passivation characteristic due to the interface trap reduction by the formation of Si-H bond. Recently, the deuterium passivated interface trap control process is demonstrated ...
저자 | 서영호 |
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학위수여기관 | 경북대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자전기컴퓨터학부 반도체 및 디스플레이공학전공 |
발행연도 | 2011 |
총페이지 | 44 p. |
키워드 | 중수소 이온 주입 이온 주입 기술 MOS 커패시터 SRIM |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T12342628&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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