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본 논문은 이온주입 공정에 적용되는 i-line negative photoresist 개발에 관한 연구이다. 개발된 negative photoresist의 구성 성분 중 resin은 meta-cresol과 para-cresol을 5:5 비율로 중합하여 평균분자량이 각각 resin A 12000과 resin B 5000인 polymer를 제조하였다. 또한 가교제인 iso butylated urea melamine을 첨가하여 광 경화성을 높였으며 PAG(photo acid generator)는 triphenylsulfonium triflate를 사용하였고 감광제는 1,2-napthoquinone과 용매인 PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate)를 첨가하여 photoresist를 제조하였다. 제조된 negative photoresist의 성능 및 감광특성을 검증하기 위해 GPC(gel permeation ...

본 논문은 이온주입 공정에 적용되는 i-line negative photoresist 개발에 관한 연구이다. 개발된 negative photoresist의 구성 성분 중 resin은 meta-cresol과 para-cresol을 5:5 비율로 중합하여 평균분자량이 각각 resin A 12000과 resin B 5000인 polymer를 제조하였다. 또한 가교제인 iso butylated urea melamine을 첨가하여 광 경화성을 높였으며 PAG(photo acid generator)는 triphenylsulfonium triflate를 사용하였고 감광제는 1,2-napthoquinone과 용매인 PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate)를 첨가하여 photoresist를 제조하였다. 제조된 negative photoresist의 성능 및 감광특성을 검증하기 위해 GPC(gel permeation chromatography)로 평균분자량을 측정하였으며 lithography공정을 수행하여 CD-SEM 및 FE-SEM으로 미세회로의 패턴이미지를 확인한 결과 제조된 negative photoresist가 이온주입 공정에 적합하다는 것을 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

This paper is a study on the development of negative photoresist using on ion implant process. The resin, which is one of components for the developed negative photoresist is obtained by copolymerized as meta-cresol and para-cresol at a rate of 5:5. Iso-butylated urea melamine crosslinking agent is ...

This paper is a study on the development of negative photoresist using on ion implant process. The resin, which is one of components for the developed negative photoresist is obtained by copolymerized as meta-cresol and para-cresol at a rate of 5:5. Iso-butylated urea melamine crosslinking agent is added for increasing of the hardness. In addition, triphenylsulfonium triflate for PAG(photo acid generator), photosensitizer(1,2-napthoquinone) and PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate) are added to make a photoresist. Prepared negative photoresist is measured by GPC to verify the performance and photosensitivity characteristic. By performing a lithograpy process, the pattern image of CD(nm) is measured by CD-SEM and FE-SEM. From the result of resist performance, it is confirmed that the developed negative photoresist is suitable to apply for ion implant process.

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