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NTIS 바로가기본 논문은 이온주입 공정에 적용되는 i-line negative photoresist 개발에 관한 연구이다. 개발된 negative photoresist의 구성 성분 중 resin은 meta-cresol과 para-cresol을 5:5 비율로 중합하여 평균분자량이 각각 resin A 12000과 resin B 5000인 polymer를 제조하였다. 또한 가교제인 iso butylated urea melamine을 첨가하여 광 경화성을 높였으며 PAG(photo acid generator)는 triphenylsulfonium triflate를 사용하였고 감광제는 1,2-napthoquinone과 용매인 PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate)를 첨가하여 photoresist를 제조하였다. 제조된 negative photoresist의 성능 및 감광특성을 검증하기 위해 GPC(gel permeation ...
This paper is a study on the development of negative photoresist using on ion implant process. The resin, which is one of components for the developed negative photoresist is obtained by copolymerized as meta-cresol and para-cresol at a rate of 5:5. Iso-butylated urea melamine crosslinking agent is ...
저자 | 이승훈 |
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학위수여기관 | 경북대학교 산업대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 산업대학원 전자정보재료 |
지도교수 | 최시영 |
발행연도 | 2011 |
총페이지 | ii, 55 p. |
키워드 | negative photoresist Implant process I-line lithography |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T12517482&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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