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원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 원통형 다공성 알루미나기판에 ZnO 박막과 TiO2 박막을 증착시켰다. 기판으로 사용된 원통형 다공성 알루미나는 직경 1.93 mm 길이 6.2 mm 이며 pore의 평균 직경은 8.9 nm 이고 비표면적은 256 m2/g 으로 측정되었다. ZnO 박막을 형성하기 위한 전구체로는 DEZ(Diethylzinc)가 사용되었고 TiO2 박막을 형성하기 위해 TiCl4를 전구체로 사용했다. 두 실험 모두 산화제로는 물이 사용 되었으며 퍼지단계는 carrier ...

원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 원통형 다공성 알루미나기판에 ZnO 박막과 TiO2 박막을 증착시켰다. 기판으로 사용된 원통형 다공성 알루미나는 직경 1.93 mm 길이 6.2 mm 이며 pore의 평균 직경은 8.9 nm 이고 비표면적은 256 m2/g 으로 측정되었다. ZnO 박막을 형성하기 위한 전구체로는 DEZ(Diethylzinc)가 사용되었고 TiO2 박막을 형성하기 위해 TiCl4를 전구체로 사용했다. 두 실험 모두 산화제로는 물이 사용 되었으며 퍼지단계는 carrier gas 없이 진공퍼지 했다. BET, EDS, FE-SEM을 이용해 비표면적 전구체의 침투깊이 등을 측정했으며, ALD 공정이 내부확산제한 일 때 상황을 수축핵모델(Shrinking Core Model, SCM)을 이용하여 수학적으로 해석하고 최소공급시간을 예측했다. 본 실험에 사용된 다공성 알루미나기판에서의 DEZ의 유효확산계수는 1.38×10-2 cm-2/s 으로 계산 되었으며 TiCl4이 흡착할 수 있는 OH그룹의 밀도는 4.88 OH/nm2 으로 계산 되었다.

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