태양전지는 태양광을 받아 전력을 생산하는 반도체 소자, 즉, 광에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 에너지 변환 소자로서, 개방전압(Voc), 단락전류(Jsc), 곡선인자(...
태양전지는 태양광을 받아 전력을 생산하는 반도체 소자, 즉, 광에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 에너지 변환 소자로서, 개방전압(Voc), 단락전류(Jsc), 곡선인자(FF), 변환효율(Conversion efficiency), 양자효율(Quantum efficiency) 등의 지표가 태양전지의 성능을 결정하여 주는 주요 요소이다. 특히, 태양광 발전은 발전 셀의 특성상 태양광의 일사량과 태양과 셀 단면이 이루는 각도에 의하여 발전량에 차이를 가져온다. 태양전지의 표면의 입사각은 고정된 위치에서 태양전지 장치의 각도를 가변함으로서 변경 할 수 있다. 양자효율은 태양전지의 파장별 전자 수집효율을 말하며, 입사각별 양자효율 측정으로 입사각에 따른 태양전지 출력 변화 요인을 분석할 수 있다. 이러한 입사각별 양자효율은 태양전지 종류에 따라 차이를 보인다. 본 연구에서는 가장 많이 쓰이는 벌크형 단결정 실리콘 태양전지와 박막형 비정질 실리콘 태양전지, 비정질/미세결정질 적층 실리콘 태양전지의 입사각별 양자효율을 비교하였다. 그 결과, 단결정 실리콘 태양전지에서는 광 입사각이 증가함에 따라 전 파장영역에서 양자효율이 감소했다. 반면, 비정질 박막 실리콘 태양전지에서는 단파장 영역에서는 결정질 실리콘과 동일하게 감소하였으나, 그 이후의 흡수 영역에서 약 40°의 입사각까지 증가 또는 일정한 양자효율을 보이다가 이후에 급격히 감소하는 결과를 얻었다. 비정질/미세결정질 적층 실리콘 태양전지에서는 장파장에서의 흡수증가로, 입사각의 영향을 가장 적게 받음을 알 수 있었다. 이는 다층의 박막 실리콘 태양전지에서 입사각이 증가함에 따라 특정 파장 영역에서 산란과 간섭, 구조 등의 영향으로 예상된다. 따라서, 태양전지의 구조 및 광학 구조 최적화 등으로 BIPV 적용에 유리한 구조 태양전지 제작이 가능할 것으로 보인다.
태양전지는 태양광을 받아 전력을 생산하는 반도체 소자, 즉, 광에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 에너지 변환 소자로서, 개방전압(Voc), 단락전류(Jsc), 곡선인자(FF), 변환효율(Conversion efficiency), 양자효율(Quantum efficiency) 등의 지표가 태양전지의 성능을 결정하여 주는 주요 요소이다. 특히, 태양광 발전은 발전 셀의 특성상 태양광의 일사량과 태양과 셀 단면이 이루는 각도에 의하여 발전량에 차이를 가져온다. 태양전지의 표면의 입사각은 고정된 위치에서 태양전지 장치의 각도를 가변함으로서 변경 할 수 있다. 양자효율은 태양전지의 파장별 전자 수집효율을 말하며, 입사각별 양자효율 측정으로 입사각에 따른 태양전지 출력 변화 요인을 분석할 수 있다. 이러한 입사각별 양자효율은 태양전지 종류에 따라 차이를 보인다. 본 연구에서는 가장 많이 쓰이는 벌크형 단결정 실리콘 태양전지와 박막형 비정질 실리콘 태양전지, 비정질/미세결정질 적층 실리콘 태양전지의 입사각별 양자효율을 비교하였다. 그 결과, 단결정 실리콘 태양전지에서는 광 입사각이 증가함에 따라 전 파장영역에서 양자효율이 감소했다. 반면, 비정질 박막 실리콘 태양전지에서는 단파장 영역에서는 결정질 실리콘과 동일하게 감소하였으나, 그 이후의 흡수 영역에서 약 40°의 입사각까지 증가 또는 일정한 양자효율을 보이다가 이후에 급격히 감소하는 결과를 얻었다. 비정질/미세결정질 적층 실리콘 태양전지에서는 장파장에서의 흡수증가로, 입사각의 영향을 가장 적게 받음을 알 수 있었다. 이는 다층의 박막 실리콘 태양전지에서 입사각이 증가함에 따라 특정 파장 영역에서 산란과 간섭, 구조 등의 영향으로 예상된다. 따라서, 태양전지의 구조 및 광학 구조 최적화 등으로 BIPV 적용에 유리한 구조 태양전지 제작이 가능할 것으로 보인다.
Take the sun light, solar cells and semiconductor production, ie, converts light energy into electrical energy as an energy conversion device, the open circuit voltage (Voc), short-circuit current (Jsc), fill factor (FF), conversion efficiency, quantumefficiency as an indicator to determine the perf...
Take the sun light, solar cells and semiconductor production, ie, converts light energy into electrical energy as an energy conversion device, the open circuit voltage (Voc), short-circuit current (Jsc), fill factor (FF), conversion efficiency, quantumefficiency as an indicator to determine the performance of solar cells is a major factor. Especially, amount of power generated from solar cell can according to solar radiation of sunlight due to nature of solar cell, and an angle that the sun and the surface of cell makes bring difference in amount of power generation. The quantum efficiency (QE) is the ratio of the number of charge carriers collected by the solar cell to the number of photons of a given energy shining on the solar cell. The analysis of angle dependence of quantum efficiencies give more information upon the variation of power output of a solar cell by the incident angle of light. The variations in power output of solar cells with increasing angle of incidence is different for the type of cell structures. In this study we present the results of the quantum efficiency measurement of single-crystalline silicon solar cells and a-Si:H thin-film solar cells and a-Si:H/u-Si:H tandem thin-film solar cells with the angle of incidence of light. As a result, as the angle of incidence increases in single-crystalline silicon solar cells, quantum efficiency at all wavelength (300 ~ 1100 nm) of light were reduced. But in case of a-Si:H thin-film solar cells, quantum efficiency was increased or maintained at the angle of incidence from 0 degree to about 40 degrees and dramatically decrease at more than 40 degrees in the range of visible light. and the incident angle has less of an effect on a-Si:H/u-Si:H tandem thin-film solar cells than other solar cells because of increasing absorption of long wavelength(700 nm~ ) This results of quantum efficiency with increasing incident angle were caused by haze and interference effects in thin-film structure. Thus, the structural optimization considering incident angle dependence of solar cells is expected to benefit BIPV
Take the sun light, solar cells and semiconductor production, ie, converts light energy into electrical energy as an energy conversion device, the open circuit voltage (Voc), short-circuit current (Jsc), fill factor (FF), conversion efficiency, quantumefficiency as an indicator to determine the performance of solar cells is a major factor. Especially, amount of power generated from solar cell can according to solar radiation of sunlight due to nature of solar cell, and an angle that the sun and the surface of cell makes bring difference in amount of power generation. The quantum efficiency (QE) is the ratio of the number of charge carriers collected by the solar cell to the number of photons of a given energy shining on the solar cell. The analysis of angle dependence of quantum efficiencies give more information upon the variation of power output of a solar cell by the incident angle of light. The variations in power output of solar cells with increasing angle of incidence is different for the type of cell structures. In this study we present the results of the quantum efficiency measurement of single-crystalline silicon solar cells and a-Si:H thin-film solar cells and a-Si:H/u-Si:H tandem thin-film solar cells with the angle of incidence of light. As a result, as the angle of incidence increases in single-crystalline silicon solar cells, quantum efficiency at all wavelength (300 ~ 1100 nm) of light were reduced. But in case of a-Si:H thin-film solar cells, quantum efficiency was increased or maintained at the angle of incidence from 0 degree to about 40 degrees and dramatically decrease at more than 40 degrees in the range of visible light. and the incident angle has less of an effect on a-Si:H/u-Si:H tandem thin-film solar cells than other solar cells because of increasing absorption of long wavelength(700 nm~ ) This results of quantum efficiency with increasing incident angle were caused by haze and interference effects in thin-film structure. Thus, the structural optimization considering incident angle dependence of solar cells is expected to benefit BIPV
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.