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스핀트로닉스 분야에서 과거 수 년동안 자기 기록은 고밀도 정보 저장의 주요 기술로 자리 매김하고 있다. 하지만 가까운 미래에 초상자화 한계라 불리는 중대한 문제가 발생할 것이다. 이를 극복하기 위해서 큰 일축자기이방성 상수 를 가진 재료에 대한 집중적인 연구가 수행되어졌다. L10 형태로 정렬된 FePt 합금은 극도로 높은 일축자기 이방성 상수 을 갖고 있기 때문에 새로운 매체물질 중의 가장 유망한 후보군 중의 하나이다. 이러한 이유로 FePt 합금은 차세대 메모리로 각광 받고 있는 STT-MRAM에서도 연구가 수행되어져 오고 있고, X-ray를 대체할 THz ...

스핀트로닉스 분야에서 과거 수 년동안 자기 기록은 고밀도 정보 저장의 주요 기술로 자리 매김하고 있다. 하지만 가까운 미래에 초상자화 한계라 불리는 중대한 문제가 발생할 것이다. 이를 극복하기 위해서 큰 일축자기이방성 상수 를 가진 재료에 대한 집중적인 연구가 수행되어졌다. L10 형태로 정렬된 FePt 합금은 극도로 높은 일축자기 이방성 상수 을 갖고 있기 때문에 새로운 매체물질 중의 가장 유망한 후보군 중의 하나이다. 이러한 이유로 FePt 합금은 차세대 메모리로 각광 받고 있는 STT-MRAM에서도 연구가 수행되어져 오고 있고, X-ray를 대체할 THz 방사광 발생을 위한 Undulator로서 연구가 수행되어져 왔다. 높은 일축 자기 이방성 상수를 가진 FePt 박막의 실제 수직자기 이방성 상수를 알 수 있는 방법에는 여러 가지가 있지만, 본 연구에서는 GST Method를 이용한 FePt 박막의 수직자기 이방성 상수를 측정을 통하여 계산값을 도출하고자 하였다. FePt 박막 제작 후 열처리를 하고, VSM 데이터를 통해 수직포화자화값을 확인하며, 홀 측정을 통해 홀 저항의 변화를 관측하였다. GST Method를 이용하기 위해 박막을 포화자화 후 다시 홀 저항의 변화를 관측하였다. 이를 적절한 Parameter로 변환 후 Ploting 하면 우리가 얻고자 하는 FePt 박막의 자기이방성 상수를 계산할 수 있었다. 또한 이를 통해 GST Method를 이용한 자기이방성 상수의 측정 및 계산이 효율적이라는 것을 보였다.

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