Power Device Validity Meter를 이용한 사이리스터의 열화에 따른 특성곡선의 변화 측정 Characteristic curve measurements of the thyristor degradation using Power Device Validity Meter원문보기
본 논문에서는 전력반도체 스위치의 신뢰성 확보를 위하여, 전력반도체 스위치의 V-I 특성곡선 측정을 통해 계측기인 PDVM(Power DeviceValidity Meter)을 사용하여 효과적으로 그 유효성을 확인하는 방법을 제안하였다. 전력시스템 내에서 전력반도체 스위치의 고장은 시스템 전체의 고장으로 이어질 수 있어 소자의 열화상태를 확인하는 것이 중요하며, 특히 전력반도체 스위치의 동작 온도는 동작 ...
본 논문에서는 전력반도체 스위치의 신뢰성 확보를 위하여, 전력반도체 스위치의 V-I 특성곡선 측정을 통해 계측기인 PDVM(Power DeviceValidity Meter)을 사용하여 효과적으로 그 유효성을 확인하는 방법을 제안하였다. 전력시스템 내에서 전력반도체 스위치의 고장은 시스템 전체의 고장으로 이어질 수 있어 소자의 열화상태를 확인하는 것이 중요하며, 특히 전력반도체 스위치의 동작 온도는 동작 수행 능력과 소자의 수명 둘 다에 영향을 미치는 중요한 요인이기 때문에, 그의 유효성 검사를 열적인 스트레스에 의해 열화된 상태와 상관관계를 가지는 V-I 특성곡선을 통해 확인하는 방법으로 접근한다. 가속수명시험의 형태로 인위적인 가속열화를 유도하여 실제로 열화된 시간을 산출하고 얻어낸 소자의 차단전압 특성곡선으로 패턴 비교에 필요한 기준 데이터를 만들었으며, 이를 이용하여 사용된 SCR의 차단전압특성과 패턴을 비교를 통해 추정사용시간과 그 유효성에 대해서 확인하였다. 제안된 방법을 통해, 전력반도체의 신뢰성을 확보하였고, 소자에 대한 유효성 여부의 확인 및 열화의 정도를 추정하는 기능으로 구현된 PDVM 계측장비의 성능을 높였다.
본 논문에서는 전력반도체 스위치의 신뢰성 확보를 위하여, 전력반도체 스위치의 V-I 특성곡선 측정을 통해 계측기인 PDVM(Power Device Validity Meter)을 사용하여 효과적으로 그 유효성을 확인하는 방법을 제안하였다. 전력시스템 내에서 전력반도체 스위치의 고장은 시스템 전체의 고장으로 이어질 수 있어 소자의 열화상태를 확인하는 것이 중요하며, 특히 전력반도체 스위치의 동작 온도는 동작 수행 능력과 소자의 수명 둘 다에 영향을 미치는 중요한 요인이기 때문에, 그의 유효성 검사를 열적인 스트레스에 의해 열화된 상태와 상관관계를 가지는 V-I 특성곡선을 통해 확인하는 방법으로 접근한다. 가속수명시험의 형태로 인위적인 가속열화를 유도하여 실제로 열화된 시간을 산출하고 얻어낸 소자의 차단전압 특성곡선으로 패턴 비교에 필요한 기준 데이터를 만들었으며, 이를 이용하여 사용된 SCR의 차단전압특성과 패턴을 비교를 통해 추정사용시간과 그 유효성에 대해서 확인하였다. 제안된 방법을 통해, 전력반도체의 신뢰성을 확보하였고, 소자에 대한 유효성 여부의 확인 및 열화의 정도를 추정하는 기능으로 구현된 PDVM 계측장비의 성능을 높였다.
With an aim to secure reliability of power semiconductor switching devices, in this paper suggested a method to confirm efficiency by using PDVM(Power Device Validity Meter) as a measuring equipment through measurement of the V-I characteristics curve. Failure of power semiconductor switching device...
With an aim to secure reliability of power semiconductor switching devices, in this paper suggested a method to confirm efficiency by using PDVM(Power Device Validity Meter) as a measuring equipment through measurement of the V-I characteristics curve. Failure of power semiconductor switching devices within a power system may lead to breakdowns of the entire system and it is important to check the status of degradation of devices. Especially, the operating temperature of power semiconductor switching devices are an important factor that affect the service lifetime and operating performance. A V-I characteristics curve which has correlations with degradation from thermal stress was used as an approach to confirm the efficiency test. Artificial accelerated degradation was induced in the form of an accelerated life test, which was followed by calculation of an actual time length of degradation. Based on the characteristic curve of cut-off acquired, reference data necessary for comparison of patterns were organized. Then, estimated operating time and the efficiency were re-confirmed based on a comparison of patterns with the cut-off voltage characteristic curve of SCR in use. According to the method suggested, reliability of power semiconductors was achieved. At the same time, performance of PDVM measuring equipments developed for estimation of degradation as well as confirmation of effectiveness of devices was increased.
With an aim to secure reliability of power semiconductor switching devices, in this paper suggested a method to confirm efficiency by using PDVM(Power Device Validity Meter) as a measuring equipment through measurement of the V-I characteristics curve. Failure of power semiconductor switching devices within a power system may lead to breakdowns of the entire system and it is important to check the status of degradation of devices. Especially, the operating temperature of power semiconductor switching devices are an important factor that affect the service lifetime and operating performance. A V-I characteristics curve which has correlations with degradation from thermal stress was used as an approach to confirm the efficiency test. Artificial accelerated degradation was induced in the form of an accelerated life test, which was followed by calculation of an actual time length of degradation. Based on the characteristic curve of cut-off acquired, reference data necessary for comparison of patterns were organized. Then, estimated operating time and the efficiency were re-confirmed based on a comparison of patterns with the cut-off voltage characteristic curve of SCR in use. According to the method suggested, reliability of power semiconductors was achieved. At the same time, performance of PDVM measuring equipments developed for estimation of degradation as well as confirmation of effectiveness of devices was increased.
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