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NTIS 바로가기집적회로 성능 향상을 위한 소자개발 노력은 고유전율/ 금속게이트(High-k/Metal gate) 개발이라는 일대 변혁을 가져왔으나 집적회로의 생산성과 성능향상에 대한 요구는 소자의 물리적 크기를 감소시키는 방향으로 이루어짐에 따라 소자의 크기가 수십나노미터 단위 이하 반도체 소자는 근본적 소자구조의 변화를 수반하게 되었다. 기존 벌크 실리콘(bulk silicon) 기판위에 제작되는 평판 타입(planar)의 금속-절연막-반도체 ...
저자 | 이창용 |
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학위수여기관 | 高麗大學校 大學院 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 電子情報工學科 |
지도교수 | 梁志蕓 |
발행연도 | 2013 |
총페이지 | vii, 44장 |
키워드 | 다중 게이트 소자 MOSFET 집적회로 VLSI 기생 바이폴라 접합 트랜지스터 compact modeling floating body FinFET |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13240549&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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