오늘날 디스플레이 산업은 급격한 기술의 발전을 통해 성장해왔으며 우리의 생활을 더욱 더 편리하고 윤택하게 이끄는데 큰 기여를 해왔다. 디스플레이 시장은 과거의 CRT(Cathode Ray Tube) 기술로부터, 현재의 LCD(Liquid Crystal Display) 기술, 그리고 차세대 기술로 꼽히는 OLED(Organic ...
오늘날 디스플레이 산업은 급격한 기술의 발전을 통해 성장해왔으며 우리의 생활을 더욱 더 편리하고 윤택하게 이끄는데 큰 기여를 해왔다. 디스플레이 시장은 과거의 CRT(Cathode Ray Tube) 기술로부터, 현재의 LCD(Liquid Crystal Display) 기술, 그리고 차세대 기술로 꼽히는 OLED(Organic Lighting Emission Diode) 디스플레이까지 비약적인 변화를 보이고 있다. 기존의 a-Si:H 기반의 소자 특성으로는 UHD(Ultra High Definition) 등의 높은 해상도 디스플레이 뿐만 아니라, Flexible하고 투명한 디스플레이의 구현에 한계가 있기 때문에, 이를 대신할 수 있는 기술로서 이동도가 높고 대면적에 이점이 있는 a-IGZO TFT 기술이 대두되었다. 본 논문에서는 a-IGZO TFT를 제조하고 분석함으로써 Oxide TFT의 전기적특성에 대해 이해하는 것을 목표로 한다. 또한 전극 구조에 따른 TFT의 전기적 특성 변화를 연구하기 위하여, 기존의 평행 전극 구조의 TFT와 반원형의 전극을 가진 Half-Corbino TFT를 각각 제작하여, 전극 구조에 따른 전기적 특성을 비교 분석하였다.
오늘날 디스플레이 산업은 급격한 기술의 발전을 통해 성장해왔으며 우리의 생활을 더욱 더 편리하고 윤택하게 이끄는데 큰 기여를 해왔다. 디스플레이 시장은 과거의 CRT(Cathode Ray Tube) 기술로부터, 현재의 LCD(Liquid Crystal Display) 기술, 그리고 차세대 기술로 꼽히는 OLED(Organic Lighting Emission Diode) 디스플레이까지 비약적인 변화를 보이고 있다. 기존의 a-Si:H 기반의 소자 특성으로는 UHD(Ultra High Definition) 등의 높은 해상도 디스플레이 뿐만 아니라, Flexible하고 투명한 디스플레이의 구현에 한계가 있기 때문에, 이를 대신할 수 있는 기술로서 이동도가 높고 대면적에 이점이 있는 a-IGZO TFT 기술이 대두되었다. 본 논문에서는 a-IGZO TFT를 제조하고 분석함으로써 Oxide TFT의 전기적특성에 대해 이해하는 것을 목표로 한다. 또한 전극 구조에 따른 TFT의 전기적 특성 변화를 연구하기 위하여, 기존의 평행 전극 구조의 TFT와 반원형의 전극을 가진 Half-Corbino TFT를 각각 제작하여, 전극 구조에 따른 전기적 특성을 비교 분석하였다.
To date, the rapid development of display technology contributes to improve the quality of people's life, and has been helping them to navigate more easily through the sea of massive information. The display technology has evolved from past Cathode Ray Tube(CRT) displays, via current prevailing Liqu...
To date, the rapid development of display technology contributes to improve the quality of people's life, and has been helping them to navigate more easily through the sea of massive information. The display technology has evolved from past Cathode Ray Tube(CRT) displays, via current prevailing Liquid Crystal Displays(LCDs) , to the next generation Organic Lighting Emission Diode(OLED) displays. Though hydrogenate amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) has been generally used so far as the switching device for the LCD backplane, its poor electrical properties limit its application to high resolution displays like ultra high definition displays(UHDs) as well as to flexible and transparent displays, which requires the development of novel TFT technologies based on other semiconductor materials as alternative approaches. Among all, amorphous indium gallium zinc oxide(a-InGaZnO) TFT possess certain advantages including visible transparency, low processing temperature, good uniformity, decent mobility, low off-current, sharp sub-threshold swing, and potentially better electrical stability. In this paper, we fabricated a-InGaZnO TFTs and analyzed their electrical characteristics. change the TFT structure from conventional TFT to half-Corbino TFT structure and then analysis electric property and reliability. In order to study on the electrical properties of TFT depending on the shape of source and drain electrodes, we also fabricated the TFT with annular shape electrodes and analyzed their electrical properties in comparison to those of the conventional TFT with parallel electrodes fabricated on the same substrate.
To date, the rapid development of display technology contributes to improve the quality of people's life, and has been helping them to navigate more easily through the sea of massive information. The display technology has evolved from past Cathode Ray Tube(CRT) displays, via current prevailing Liquid Crystal Displays(LCDs) , to the next generation Organic Lighting Emission Diode(OLED) displays. Though hydrogenate amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) has been generally used so far as the switching device for the LCD backplane, its poor electrical properties limit its application to high resolution displays like ultra high definition displays(UHDs) as well as to flexible and transparent displays, which requires the development of novel TFT technologies based on other semiconductor materials as alternative approaches. Among all, amorphous indium gallium zinc oxide(a-InGaZnO) TFT possess certain advantages including visible transparency, low processing temperature, good uniformity, decent mobility, low off-current, sharp sub-threshold swing, and potentially better electrical stability. In this paper, we fabricated a-InGaZnO TFTs and analyzed their electrical characteristics. change the TFT structure from conventional TFT to half-Corbino TFT structure and then analysis electric property and reliability. In order to study on the electrical properties of TFT depending on the shape of source and drain electrodes, we also fabricated the TFT with annular shape electrodes and analyzed their electrical properties in comparison to those of the conventional TFT with parallel electrodes fabricated on the same substrate.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.