Li이 도핑된 NiO p-type 박막을 유리와 (000l) 방향으로 성장된 사파이어 위에 PLD와 RF-magnetron sputtering법을 이용하여 증착하였다. 증착된 투명전극의 특성은 도핑량과 증착분위기, 기판온도의 조건에 따라 달라진다. 따라서 본 연구에서는 투명전도선 산화물 박막 중 하나인 NiO에 Li을 도핑한 투명전극을 제작하고 이 박막들의 결정 구조와 전기적, 광학적 특성을 4 point ...
Li이 도핑된 NiO p-type 박막을 유리와 (000l) 방향으로 성장된 사파이어 위에 PLD와 RF-magnetron sputtering법을 이용하여 증착하였다. 증착된 투명전극의 특성은 도핑량과 증착분위기, 기판온도의 조건에 따라 달라진다. 따라서 본 연구에서는 투명전도선 산화물 박막 중 하나인 NiO에 Li을 도핑한 투명전극을 제작하고 이 박막들의 결정 구조와 전기적, 광학적 특성을 4 point probe, XRD, AFM, SEM 그리고 UV/VIS spectrometer 등을 사용하여 분석 하였다. 전기전도도는 도핑량의 증가에 따라 같이 증가한다. 또한 PLD법으로 증착된 박막의 경우 기판온도가 상온에서 500℃구간에서는 기판온도가 증가함에 따라서 NiO 박막의 전기전도도가 증가한다. 그러나 RF-magnetron법으로 증착된 박막의 경우 이와는 반대의 결과였다. 그리고 (000l) 단결정 사파이어를 기판으로 사용할 경우 상온에서부터 c축 방향으로 우선배향성이 나타나며, 기판온도가 증가함에 따라서 결정화도가 증가되었다. Li이 도핑된 NiO박막의 최적 조건으로 RF-magnetron sputtering법을 사용하여 산소 분위기에서 제작하였을 때는 Li의 도핑양이 10at%이며 9.337 S/cm의 전기전도도를 가지고 50%이상의 가시광선 영역 투과도를 보였다. 이번 연구에서는 공정 변수의 영향에 따른 Li이 도핑된 NiO 박막의 특성을 평가하였다.
Li이 도핑된 NiO p-type 박막을 유리와 (000l) 방향으로 성장된 사파이어 위에 PLD와 RF-magnetron sputtering법을 이용하여 증착하였다. 증착된 투명전극의 특성은 도핑량과 증착분위기, 기판온도의 조건에 따라 달라진다. 따라서 본 연구에서는 투명전도선 산화물 박막 중 하나인 NiO에 Li을 도핑한 투명전극을 제작하고 이 박막들의 결정 구조와 전기적, 광학적 특성을 4 point probe, XRD, AFM, SEM 그리고 UV/VIS spectrometer 등을 사용하여 분석 하였다. 전기전도도는 도핑량의 증가에 따라 같이 증가한다. 또한 PLD법으로 증착된 박막의 경우 기판온도가 상온에서 500℃구간에서는 기판온도가 증가함에 따라서 NiO 박막의 전기전도도가 증가한다. 그러나 RF-magnetron법으로 증착된 박막의 경우 이와는 반대의 결과였다. 그리고 (000l) 단결정 사파이어를 기판으로 사용할 경우 상온에서부터 c축 방향으로 우선배향성이 나타나며, 기판온도가 증가함에 따라서 결정화도가 증가되었다. Li이 도핑된 NiO박막의 최적 조건으로 RF-magnetron sputtering법을 사용하여 산소 분위기에서 제작하였을 때는 Li의 도핑양이 10at%이며 9.337 S/cm의 전기전도도를 가지고 50%이상의 가시광선 영역 투과도를 보였다. 이번 연구에서는 공정 변수의 영향에 따른 Li이 도핑된 NiO 박막의 특성을 평가하였다.
Li doped NiO p-type transparent conducting thin films were prepared on glass and sapphire (000l) single crystal substrates by using pulsed laser deposition and RF-magnetron sputtering processes. The properties of the transparent conducting thin films are dependent on the doping concentration an...
Li doped NiO p-type transparent conducting thin films were prepared on glass and sapphire (000l) single crystal substrates by using pulsed laser deposition and RF-magnetron sputtering processes. The properties of the transparent conducting thin films are dependent on the doping concentration and various deposition conditions such as deposition atmosphere and substrate temperature. The crystal structure, electrical and optical properties of Li doped NiO thin films were analyzed by 4 point probe, XRD, AFM, SEM and UV/VIS spectrometer. The electrical conductivity of the NiO thin films were improved as the doping concentration increased. As the temperatures of the substrates were increased from RT to 500℃, the electrical conductivity of the NiO thin films were also improved by using pulsed laser deposition process. But, fabricated Li doped NiO thin films by using RF-magnetron sputtering process is diametrically opposed to that. And Li doped NiO thin films with c-axis preferred orientation were obtained at RT when (000l) sapphire single crystal were used as substrate. When fabricated on optimizing processing parameters by using oxygen flow, the electrical conductivity value of 10at% Li doped NiO thin film was 9.337 S/cm and the optical transmittance value was over 50% by using RF-magnetron sputtering process. In this study , the influences of various processing parameters on the characteristics of Li doped NiO thin films were discussed.
Li doped NiO p-type transparent conducting thin films were prepared on glass and sapphire (000l) single crystal substrates by using pulsed laser deposition and RF-magnetron sputtering processes. The properties of the transparent conducting thin films are dependent on the doping concentration and various deposition conditions such as deposition atmosphere and substrate temperature. The crystal structure, electrical and optical properties of Li doped NiO thin films were analyzed by 4 point probe, XRD, AFM, SEM and UV/VIS spectrometer. The electrical conductivity of the NiO thin films were improved as the doping concentration increased. As the temperatures of the substrates were increased from RT to 500℃, the electrical conductivity of the NiO thin films were also improved by using pulsed laser deposition process. But, fabricated Li doped NiO thin films by using RF-magnetron sputtering process is diametrically opposed to that. And Li doped NiO thin films with c-axis preferred orientation were obtained at RT when (000l) sapphire single crystal were used as substrate. When fabricated on optimizing processing parameters by using oxygen flow, the electrical conductivity value of 10at% Li doped NiO thin film was 9.337 S/cm and the optical transmittance value was over 50% by using RF-magnetron sputtering process. In this study , the influences of various processing parameters on the characteristics of Li doped NiO thin films were discussed.
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