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본 연구에서는 ITO/a-IGZO/SiNx/ITO 구조로 이루어진 투명한 다이오드를 구현하였다. 또한 이 다이오드의 정류 현상이 산화물 반도체와 절연체 사이의 접합으로부터 일어남을 확인하였다. 이 다이오드는 on-current가 2.8 A/cm2, off-current가 7.3 x 10-9 A/cm2 으로 기존의 보고된 투명한 다이오드보다 103~104정도 높은 정류 비를 보이며 10-13~10-14 정도의 매우 낮은 누설전류 보임과 동시에 가시광선의 영역에서(400 nm ~ 900 nm) 80% 이상의 투광도를 보인다. 또한 다이오드의 중요한 파라미터인 ...

본 연구에서는 ITO/a-IGZO/SiNx/ITO 구조로 이루어진 투명한 다이오드를 구현하였다. 또한 이 다이오드의 정류 현상이 산화물 반도체와 절연체 사이의 접합으로부터 일어남을 확인하였다. 이 다이오드는 on-current가 2.8 A/cm2, off-current가 7.3 x 10-9 A/cm2 으로 기존의 보고된 투명한 다이오드보다 103~104정도 높은 정류 비를 보이며 10-13~10-14 정도의 매우 낮은 누설전류 보임과 동시에 가시광선의 영역에서(400 nm ~ 900 nm) 80% 이상의 투광도를 보인다. 또한 다이오드의 중요한 파라미터인 이상계수가 2.53 임을 확인하였다. 산화물 반도체와 절연체를 이용한 다이오드는 아직 보고된 바가 없을 뿐만 아니라 기존에 널리 알려진 Schottky 전위 방벽을 이용한 금속-반도체 다이오드, 공간 전하영역을 이용한 p-n 접합 다이오드 등 일반적인 다이오드의 정류상과는 다른 새로운 메커니즘으로 정류 현상을 일으킨다. 또한 이 다이오드는 공정의 용이성 혹은 전극 선택의 폭이 넓다는 점에서, 기존의 다이오드 대비 다양한 장점을 가진다. 우리는 다양한 실험을 통하여 산화물 반도체와 절연체 접합에서 일어나는 정류현상에 대한 연구를 하였고 산화물 반도체와 절연체 접합에서 일어나는 정류 현상에 대한 메커니즘 대한 모델을 제시하였다.

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