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NTIS 바로가기탄화규소(SiC)는 우수한 물리적 특징과 큰 잠재력을 가진 물질로 유망한 와이드 밴드갭 반도체 물질 중 하나이다. 현재까지는 실리콘(Si)이 전력반도 체용 소재로 널리 활용되어 왔으나 최근에는 전력변환 시 전력손실을 대폭 줄일 수 있는 차세대 반도체소재로서 SiC, GaN 등의 와이드 밴드갭 소재가 주목받고 있다. SiC는 200종류 이상의 결정다형이 존재하며 그 중 3C, 4H, 6H, 15R이 주요한 결정다형이라고 볼 수 있다. 특히 4H-SiC는 다른 결정다 형에 비해 높은 밴드갭, 캐리어 이동성과 높은 절연파괴전압으로 인해 고전 압, 고온, 고주파수가 요구되는 ...
저자 | 이희준 |
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학위수여기관 | 동의대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 산업경영.융합부품공학과 |
발행연도 | 2015 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13695292&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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