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테라헤르츠 변조의 효율성을 높이고자 기존의 실험을 기반으로 파장의존성과 구조의존성에서의 효율에 대하여 연구하였다. 첫 번째로 405nm, 715nm, 785nm 파장에서 나타나는 유기물/반도체 복합구조에서의 테라헤르츠 변조효율을 유기물의 특성과 비교하여 파장의존적인 현상을 보임을 조사하였다. 두 번째로 실리콘 기판에 1차원 패턴을 생성하여 편광의존적임을 확인하기 위하여 0~90˚ 까지 관측하였다. 결과는 패턴화된 구조에서

테라헤르츠 변조의 효율성을 높이고자 기존의 실험을 기반으로 파장의존성과 구조의존성에서의 효율에 대하여 연구하였다. 첫 번째로 405nm, 715nm, 785nm 파장에서 나타나는 유기물/반도체 복합구조에서의 테라헤르츠 변조효율을 유기물의 특성과 비교하여 파장의존적인 현상을 보임을 조사하였다. 두 번째로 실리콘 기판에 1차원 패턴을 생성하여 편광의존적임을 확인하기 위하여 0~90˚ 까지 관측하였다. 결과는 패턴화된 구조에서 테라헤르츠파 변조 효율에는 편광 비 의존적으로 나타난다는 사실을 알았으며, 테라헤르츠파의 투과를 감소시키는 요인에는 실리콘에서 생성되어 유기물층으로 넘어간 carrier에 의한 것이라는 사실을 다시 한 번 확인 할 수 있었다.

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