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본 연구에서는 금속산화물 박막 트랜지스터 모델에서 관찰된 온도에 의존적인 문턱전압 이동에 대한 수치 모델을 제안한다. 제안한 모델은 AIM-SPICE 회로 시뮬레이션 툴에서 구현한다. 이 제안방안은 문턱전압 이동에서 자주 관측되는 stretched exponential 모델이 온도에 의해 변하는 특성에 대해 비교적 민감하지 않게 수치 모델링하고 ...

본 연구에서는 금속산화물 박막 트랜지스터 모델에서 관찰된 온도에 의존적인 문턱전압 이동에 대한 수치 모델을 제안한다. 제안한 모델은 AIM-SPICE 회로 시뮬레이션 툴에서 구현한다. 이 제안방안은 문턱전압 이동에서 자주 관측되는 stretched exponential 모델이 온도에 의해 변하는 특성에 대해 비교적 민감하지 않게 수치 모델링하고 SPICE 시뮬레이션 툴에 구현하는 것이다. 비교적 최근에 발표된 수치모델과 본 논문에서 제안한 수치모델과의 결과를 비교하여 제안한 수치모델이 기존의 수치 모델에 비해 나아진 정도를 보여준다. AIM-SPICE에 구현한 시뮬레이션 결과와 문헌에서 보고된 문턱전압 이동 값들을 비교해보했을 때, 두 결과 값이 매우 일치하는 것을 보여준다. 금속산화물 박막트랜지스터는 디스플레이에 매우 유용하게 쓰일 수 있는 소자이기 때문에 제안한 수치 모델은 빠르게 변화하는 디스플레이 회로의 신뢰성을 향상시키는데 초석이 될 것으로 기대된다.

Abstract ▼ AI-Helper

In this paper, we propose a numerical method to model temperature dependent threshold voltage shift observed in metal oxide thin-film transistors (TFTs). The proposed model is then implemented in AIM-SPICE circuit simulation tool. The proposed method consists of modeling the well-known stretched-exp...

In this paper, we propose a numerical method to model temperature dependent threshold voltage shift observed in metal oxide thin-film transistors (TFTs). The proposed model is then implemented in AIM-SPICE circuit simulation tool. The proposed method consists of modeling the well-known stretched-exponential time dependent threshold voltage shift and their temperature dependent coefficients. The outputs from AIM-SPICE tool and the observed threshold voltage shifts in the literature are compared and they show a good agreement. Since metal oxide TFTs are the promising candidate for flat panel displays, the proposed method will be a good stepping stone to help enhance reliability of fast-evolving display circuits.

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