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전력변환장치를 구성하는 핵심소자는 전력반도체로, 그중에서도 스위칭 소자는 전력반도체의 성능을 좌우한다고 해도 과언이 아니다. 전력반도체의 재료는 주로 Si(Silicon)이 사용되어져 왔으나, 현재 Si의 물성적 한계로 전력반도체의 성능향상은 더 이상 기대하기 어려운 실정이다.
SiC(Silicon Carbide)는 물성적 한계에 이른 Si을 대체하기 위해 개발된 전력반도체 재료로, 기존의 Si보다 뛰어난 물성을 가지고 있으며, 따라서 Si MOSFET보다 뛰어난 성능을 지니고 있다.
본 논문에서는 SiC MOSFET를 이용한 ...
저자 | 강민승 |
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학위수여기관 | 창원대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 메카트로닉스공학부(전기공학전공) |
지도교수 | 안호균 |
발행연도 | 2018 |
총페이지 | 49 |
키워드 | SiC MOSFET 3 Phase Inverter BLDC Motor Drive Wide Band Gap Gate Driver Sensorless PWM Drive |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14755694&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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