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NTIS 바로가기본 논문에서는 비정질 실리콘 (amorphous silicon)과 실리콘 질화물 (silicon nitride)의 이중층을 저항변화층으로 하는 저항 변화 메모리(Resistive Random Access Memory, RRAM)를 제안하였다. 저항 변화 메모리는 플래시 메모리와 DRAM의 한계를 극복하기 위한 차세대 메모리로 주목받고 있다. 기존의 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조를 가지는 저항 변화 메모리와 달리 제안된 소자는 ...
저자 | 권희태 |
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학위수여기관 | 부산대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 나노융합기술학과 |
지도교수 | 김윤 |
발행연도 | 2019 |
총페이지 | iv, 32장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15098340&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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