이 논문에서는 결정질 실리콘 기판(Crystalline Silicon Substrate), 실리콘 산화막(Silicon Oxide Film), 다결정 실리콘 게이트(Poly-Crystalline Silicon Gate)로 이루어진 MOS 계면을 터널링 전류를 이용하는 VT-STM과, Electron Microscopy인 ...
이 논문에서는 결정질 실리콘 기판(Crystalline Silicon Substrate), 실리콘 산화막(Silicon Oxide Film), 다결정 실리콘 게이트(Poly-Crystalline Silicon Gate)로 이루어진 MOS 계면을 터널링 전류를 이용하는 VT-STM과, Electron Microscopy인 TEM, SEM으로 기초적인 표면 관찰을 실시하였다. 선행 연구에서 나타난 문제점들을 극복하기 위해 Cleavage 도구를 교체하고 절단 방향을 바꿈으로써 시료에 발생하는 손상을 줄이고자 하였다. 또한 STM 탐침을 시료 끝의 계면과 Edge로 쉽게 도달시키기 위하여, 실험 과정을 자동으로 수행할 수 있는 Edge Finder 프로그램을 구축하였다. 한편 기울기 측정(Angle Measurement), 터널링 전류 측정(Tunneling Current Measurement), 게이트 바이어스 제어(Gate Bias Control) 등 여러가지 방법을 사용하여도 예측하였던 계면의 Topography 이미지를 얻지는 못하였다. Cleaved 샘플의 특성상 근본적으로 Edge의 손상을 방지한다는 것은 매우 어려운 일이며, 따라서 실험에서 나타난 문제점에 대한 해결책으로써 새로운 샘플을 구상하였고 계면 확보 가능성을 높이는 동시에 Edge 도달 여부를 쉽게 판정할 수 있게 만들었다.
이 논문에서는 결정질 실리콘 기판(Crystalline Silicon Substrate), 실리콘 산화막(Silicon Oxide Film), 다결정 실리콘 게이트(Poly-Crystalline Silicon Gate)로 이루어진 MOS 계면을 터널링 전류를 이용하는 VT-STM과, Electron Microscopy인 TEM, SEM으로 기초적인 표면 관찰을 실시하였다. 선행 연구에서 나타난 문제점들을 극복하기 위해 Cleavage 도구를 교체하고 절단 방향을 바꿈으로써 시료에 발생하는 손상을 줄이고자 하였다. 또한 STM 탐침을 시료 끝의 계면과 Edge로 쉽게 도달시키기 위하여, 실험 과정을 자동으로 수행할 수 있는 Edge Finder 프로그램을 구축하였다. 한편 기울기 측정(Angle Measurement), 터널링 전류 측정(Tunneling Current Measurement), 게이트 바이어스 제어(Gate Bias Control) 등 여러가지 방법을 사용하여도 예측하였던 계면의 Topography 이미지를 얻지는 못하였다. Cleaved 샘플의 특성상 근본적으로 Edge의 손상을 방지한다는 것은 매우 어려운 일이며, 따라서 실험에서 나타난 문제점에 대한 해결책으로써 새로운 샘플을 구상하였고 계면 확보 가능성을 높이는 동시에 Edge 도달 여부를 쉽게 판정할 수 있게 만들었다.
In this paper, basic surface observation was carried out by VT-STM using tunneling current, TEM and SEM using Electron Microscopy, which is composed of Crystalline Silicon Substrate, Silicon Oxide Film and Poly-Crystalline Silicon Gate. In order to overcome the problems presented in ...
In this paper, basic surface observation was carried out by VT-STM using tunneling current, TEM and SEM using Electron Microscopy, which is composed of Crystalline Silicon Substrate, Silicon Oxide Film and Poly-Crystalline Silicon Gate. In order to overcome the problems presented in the previous research, we tried to replace the cleavage tool and reduce the damage to the sample by changing the cutting direction. In addition, the Edge Finder program has been constructed to automatically perform the experiment process so that the STM probe can easily reach the interface and edge of the sample end. Meanwhile, we could not obtain the topography image of the interface that was predicted even by using various methods such as Angle Measurement, Tunneling Current Measurement and Gate Bias Control. It is very difficult to fundamentally prevent damage to the edge due to the nature of the Cleaved sample. As a solution to the problems presented in this experiment, a new sample is designed to increase the possibility of interfacial access and make it easy to determine whether the edge is reached.
In this paper, basic surface observation was carried out by VT-STM using tunneling current, TEM and SEM using Electron Microscopy, which is composed of Crystalline Silicon Substrate, Silicon Oxide Film and Poly-Crystalline Silicon Gate. In order to overcome the problems presented in the previous research, we tried to replace the cleavage tool and reduce the damage to the sample by changing the cutting direction. In addition, the Edge Finder program has been constructed to automatically perform the experiment process so that the STM probe can easily reach the interface and edge of the sample end. Meanwhile, we could not obtain the topography image of the interface that was predicted even by using various methods such as Angle Measurement, Tunneling Current Measurement and Gate Bias Control. It is very difficult to fundamentally prevent damage to the edge due to the nature of the Cleaved sample. As a solution to the problems presented in this experiment, a new sample is designed to increase the possibility of interfacial access and make it easy to determine whether the edge is reached.
주제어
#STM SEM Cleavage Tunneling Current Gate Bias Control Topography
학위논문 정보
저자
배기웅
학위수여기관
연세대학교 일반대학원
학위구분
국내석사
학과
물리및응용물리 표면물리
지도교수
여인환
발행연도
2019
총페이지
v, 44p.
키워드
STM SEM Cleavage Tunneling Current Gate Bias Control Topography
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