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GaN 반도체는 wide energy band gap(Eg = 3.4 eV)를 가지므로 Si(Eg = 1.1 eV), GaAs(Eg = 1.2 eV) 등과 같은 타 반도체 기반 베타전지에 비해 이론적으로 높은 전력변환효율(PCE)를 가질 수 있는 것으로 보고되고 있다. 또한, 우수한 내방사선 특성으로 인하여 베타전지의 에너지원인 방사성동위원소에 의한 특성 저하 현상도 상대적으로 적은 것으로 보고되고 있다. 하지만, 문헌조사를 통해 지금까지 보고된 반도체 기반 베타전지의 경우, 이론적 효율에 상당히 못 미치는 것으로 조사되었으며, 실제 제작된 GaN 기반 베타전지의 PCE도 1 %대인 것으로 보고되고 있다.
따라서 본 연구에서 베타전지의 특성을 향상시킬 수 있는 새로운 구조를 연구하였으며, 일반적인 p-i-n 구조가 아닌 n-i-p 구조를 새롭게 제안하였다.
일반적으로 depletion region에 입사된 ...
저자 | 이현수 |
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학위수여기관 | 경북대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자공학부 반도체 및 디스플레이 전공 |
발행연도 | 2020 |
총페이지 | i, 36 p. |
키워드 | GaN |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15521142&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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