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NTIS 바로가기기존 메모리 소자의 속도 및 집적도의 한계 도달로 인하여 새로운 형태의 저항성 소자인 Ferroelectric Tunnel Junction(FTJ) 소자가 제안되었다. 강유전체 HfO2는 CMOS 공정과 우수한 호환성, 수 nm의 박막에서도 강유전성을 발현하여 FTJ 소자에 적합한 물질로 주목받고 있다. 간단한 ...
저자 | 이요섭 |
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학위수여기관 | 한국산업기술대학교 일반대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 나노반도체공학과 |
지도교수 | 안승언 |
발행연도 | 2021 |
총페이지 | 105 p. |
키워드 | 메모리 특성 |
언어 | zzz |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15746710&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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