반응 소결 탄화규소 (RB-SiC)를 제조하기 위하여 0.5～5.0 wt% Y2O3를 첨가한 탄소 프리폼에 금속 Si 분말을 덮고 1,450～1,550°C 범위의 낮은 온도에서 반응 소결하였다. Y2O3 무첨가 반응 소결체는 융융 Si의 침투가 불균질하지만, Y2O3 첨가한 탄소 프리폼으로부터 반응 소결한 탄화규소는 Si가 균질하게 침투하여 Si + C = SiC 반응이 이루어졌다. RB-SiC는 6H와 3C의 SiC와 Si 상 및 Y2O3 상 이 XRD에서 검출되고 ...
반응 소결 탄화규소 (RB-SiC)를 제조하기 위하여 0.5～5.0 wt% Y2O3를 첨가한 탄소 프리폼에 금속 Si 분말을 덮고 1,450～1,550°C 범위의 낮은 온도에서 반응 소결하였다. Y2O3 무첨가 반응 소결체는 융융 Si의 침투가 불균질하지만, Y2O3 첨가한 탄소 프리폼으로부터 반응 소결한 탄화규소는 Si가 균질하게 침투하여 Si + C = SiC 반응이 이루어졌다. RB-SiC는 6H와 3C의 SiC와 Si 상 및 Y2O3 상 이 XRD에서 검출되고 잔류 탄소는 검출한계 이하였다. Y2O3 첨가량이 1.0～5.0 wt%인 탄소 프리폼으로부터 제조한 RB-SiC는 온도가 높아지고 유지 시간이 길어지면 부피 밀도가 증가하고 겉보기 기공은 감소하였다. 1,450°C에서 반응한 소재는 기공이 분포하고 있지만, 1,500°C 이상에서 제조한 RB-SiC는 SiC와 Si가 치밀한 미세구조를 이루고 있다. 2.0 wt% Y2O3 첨가한 탄소 프리폼으로부터 1,500°C에서 제조한 RB-SiC는 3.04 g/cm3의 밀도, 0.20%의 겉보기 기공률과 1600 Hv의 비커스 경도를 가져 광학 소재용으로서 가공 위상차를 감소시킬 것으로 판단된다.
반응 소결 탄화규소 (RB-SiC)를 제조하기 위하여 0.5～5.0 wt% Y2O3를 첨가한 탄소 프리폼에 금속 Si 분말을 덮고 1,450～1,550°C 범위의 낮은 온도에서 반응 소결하였다. Y2O3 무첨가 반응 소결체는 융융 Si의 침투가 불균질하지만, Y2O3 첨가한 탄소 프리폼으로부터 반응 소결한 탄화규소는 Si가 균질하게 침투하여 Si + C = SiC 반응이 이루어졌다. RB-SiC는 6H와 3C의 SiC와 Si 상 및 Y2O3 상 이 XRD에서 검출되고 잔류 탄소는 검출한계 이하였다. Y2O3 첨가량이 1.0～5.0 wt%인 탄소 프리폼으로부터 제조한 RB-SiC는 온도가 높아지고 유지 시간이 길어지면 부피 밀도가 증가하고 겉보기 기공은 감소하였다. 1,450°C에서 반응한 소재는 기공이 분포하고 있지만, 1,500°C 이상에서 제조한 RB-SiC는 SiC와 Si가 치밀한 미세구조를 이루고 있다. 2.0 wt% Y2O3 첨가한 탄소 프리폼으로부터 1,500°C에서 제조한 RB-SiC는 3.04 g/cm3의 밀도, 0.20%의 겉보기 기공률과 1600 Hv의 비커스 경도를 가져 광학 소재용으로서 가공 위상차를 감소시킬 것으로 판단된다.
In order to prepare silicon carbide (RB-SiC), metal Si powder was covered on a carbon preform with adding 0.5∼5.0 wt% Y2O3 and reaction bonded at a low temperature in the range of 1,450∼1,550°C. In the Y2O3-free reaction sintered body, the penetration of molten Si was non-uniform, but in the rea...
In order to prepare silicon carbide (RB-SiC), metal Si powder was covered on a carbon preform with adding 0.5∼5.0 wt% Y2O3 and reaction bonded at a low temperature in the range of 1,450∼1,550°C. In the Y2O3-free reaction sintered body, the penetration of molten Si was non-uniform, but in the reaction bonded silicon carbide from the carbon preform added with Y2O3, Si uniformly penetrated, and the Si + C = SiC reaction occurred. For RB-SiC, SiC of 6H, 3C and Si phases were detected by XRD, and residual carbon was below the detection limit. RB-SiC, prepared from carbon preforms with a Y2O3 content of 1.0 to 5.0 wt%. increased bulk density and decreased apparent porosity with increasing temperature and soaking time. The material reacted at 1,450°C had pores, but RB-SiC manufactured above 1,500°C had a dense microstructure of SiC and Si. RB-SiC manufactured at 1,500°C from a carbon preform added with 2.0 wt% Y2O3 had a density of 3.04 g/cm3, an apparent porosity of 0.20%, and a Vickers hardness of 1600 Hv, which is considered to reduce the processing phase difference for optical materials.
In order to prepare silicon carbide (RB-SiC), metal Si powder was covered on a carbon preform with adding 0.5∼5.0 wt% Y2O3 and reaction bonded at a low temperature in the range of 1,450∼1,550°C. In the Y2O3-free reaction sintered body, the penetration of molten Si was non-uniform, but in the reaction bonded silicon carbide from the carbon preform added with Y2O3, Si uniformly penetrated, and the Si + C = SiC reaction occurred. For RB-SiC, SiC of 6H, 3C and Si phases were detected by XRD, and residual carbon was below the detection limit. RB-SiC, prepared from carbon preforms with a Y2O3 content of 1.0 to 5.0 wt%. increased bulk density and decreased apparent porosity with increasing temperature and soaking time. The material reacted at 1,450°C had pores, but RB-SiC manufactured above 1,500°C had a dense microstructure of SiC and Si. RB-SiC manufactured at 1,500°C from a carbon preform added with 2.0 wt% Y2O3 had a density of 3.04 g/cm3, an apparent porosity of 0.20%, and a Vickers hardness of 1600 Hv, which is considered to reduce the processing phase difference for optical materials.
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