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NTIS 바로가기전자공학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics, v.26 no.5, 1989년, pp.52 - 59
김천수 (韓國電子通信硏究所) , 이경수 (韓國電子通信硏究所) , 남기수 (韓國電子通信硏究所) , 이진효 (韓國電子通信硏究所)
The reliability of the thin thermal oxide was investigated by using constant current stress method. Polysilicon gate MOS capacitors with oxide thickness range of 20-25nm were used in this experiment. Automatic measurement and statistical data analysis which were essential in reliability evaluation o...
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