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급속 열처리 방법으로 성장한 재 산화된 질화 산화막의 전기적 특성 향상
Improved electrical properties of reoxidized nitrided oxide film grown by rapid thermal processing 원문보기

電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.4 no.2, 1991년, pp.175 - 184  

양광선 (연세대학교 전자공학과) ,  손문회 (연세대학교 전자공학과) ,  박훈수 (연세대학교 전자공학과) ,  김봉열 (연세대학교 전자공학과)

초록
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급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

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