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증착각도에 따른 $As_{40}Se_{15}S_{35}Ge_{10}$박막의 비정질상 변화에 관한 연구
A Study on the Amorphous Phase Change of Obliquely Deposited $As_{40}Se_{15}S_{35}Ge_{10}$ Thin Films 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.2 no.1, 1993년, pp.85 - 91  

정홍배 (광운대학교 전자재료공학과) ,  김종빈 (조선대학교 전자공학과) ,  이현용 (광운대학교 전자재료공학과) ,  박태성 (광운대학교 전자재료공학과)

초록
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본 연구에서는 광기록 매질 중 광유기효과가 큰 비정질 As40Se15S35Ge10박막의 증착각도변화에 따른 구조 및 광학적 구조 및 광학적 물질특성에 대해 고찰하였다. 준비된 bulk와 박막이 비정질상(Amorphous phase)임을 XRD 분석을 통해 확인하였다. 특히, 증착각도의 변화에 따른 비정질 As40Se15S35Ge10박막에서의 유리질 천이온도의 변화와 상분리 현상을 연구하였다. 유리질 천이온도의 확인은 DSC, DTA, TGA를 이용한 분석실험을 통해 수행하였다. 실험 결과 벌크의 유리질 천이 온도는 약 $238^{\circ}C$였고, 0。, 60。, 80。로 증착된 박막은 각각 $202^{\circ}C$, $229^{\circ}C$, $201^{\circ}C$였으며 80。로 증착된 박막의 경우 가장 낮은 값을 보였다. 또한 연속상과 분산상으로의 상 분리 현상은 편광현미경에 의한 광학구조분석과 SEM-EDS를 이용한 표면확인 및 성분분석으로 관찰하였다.

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