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논문 상세정보

전계발광소자 완충층용 ZnS 박막 제작 및 특성

Fabrications and properties of ZnS thin film used as a buffer layer of electroluminescent device

Abstract

The role of ZnS buffer layer not only suppresses chemical reactions between emission material and insulating material but also alters the luminescence and the crystallinity of the emission layer, if ZnS buffer layer was sandwiched between emission layer and insulating layer of electroluminescent device. In this research, we fabricated ZnS thin film with rf magnetron sputter system by varying rf power 100, 200W, substrate temperature 100, 150, 200, 250.deg. C and post-annealing temperature 200, 300, 400, 500.deg. C and analysed X-ray diffraction pattern, transmission spectra and cross section by SEM photograph for seeking the optimal crystallization condition of ZnS buffer layer. As a result, increasing the rf power, the crystallinity of ZnS thin film was improved. It was found that the ZnS thin film had better properties than anything else when fabricated with the following conditions ; rf power 200W, substrate temperature 150.deg. C, and post-annealing temperature 400.deg. C. ZnS thin film had the transmittance more than 80% in visible range. So it is suitable to use as a buffer layer of electroluminescent devices.

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참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. Lee, Ju-Hyeon ; Chae, Sang-Hoom ; Bhattarai, B.B. ; Kim, Hak-Soo ; Park, Sung 2001. "Characteristics of AC Power Electroluminescent Device with the Double Dielectric Layers of Thin and Thick Barium Titanate Films" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 14(8): 679~687 

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